6第六章光源要点.pptVIP

材料 波长/nm 材料 波长/nm ZnS 340 CuSe-ZnSe 400～630 SiC 480 ZnxCd1-xTe 590～830 GaP 565,680 GaAs1-xPx 550～900 GaAs 900 InPxAs1-x 910～3150 InP 920 InxGa1-xAs 850～1350 LED材料及对应波长 改变元素的成分可以得到不同的波长 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 600 700 800 900 1000 GaAsP λp=670nm λp=655nm GaAsP λp=565nm GaP λp=950nm GaAs 发光二极管的光谱特性 λ/nm 相对灵敏度 （4）发光效率 发光效率:发光二极管发射的光通量与输入电能之比; 单位lm/W 或定义为：光强度与注入电流之比，单位为cd/A（坎/安） 通常发光二极管的外部发光效率均随温度上升而下降。 图2-16 表示GaP（绿色）、GaP（红色）、GaAsP三种发光二极管的相对光强度与温度的关系曲线。 1) 时间响应特性 发光二极管的时间响应快，短于1μs，比人眼的时间响应快得多； 2）最大工作电流 在低工作电流下，发光二极管发光效率随电流的增加而明显增加。但电流增大到一定值时，发光效率不再增加，相反，随着工作电流增加而降低。 原因定性解释：发光管电流的增加，使结温度升高，导致热分解，发光效率降低。因此，工作电流密度应低于最大发射效率的电流密度值。 （5）发光二极管的优点、缺点 发光二极管具有如下几个优点： ⑴ 属于低电压（1－2V）、小电流（每个发光单元只需10mA）器件，在室温下即可得到足够的亮度（一般3000cd/m2以上）； ⑵发光响应速度快（10－7～10－9s）； ⑶性能稳定，寿命长（一般105小时以上）； ⑷易于和集成电路匹配，且驱动简单； ⑸与普通光源相比，单色性好，其发光的半宽度一般为几十纳米； ⑹小型、耐冲击。 发光二极管的主要缺点是功率较小（μW，mW）、光色有限，较难获得短波发光（如紫外、蓝色），且发光效率低。目前主要作为仪表指示器和小型超小型文字、数字显示器等方面。随着大功率器和多功能器件的发展，其应用范围将日益扩大。 LED主要应用在仪器的指示灯、文字和数字显示及图像显示等方面。在应用时，应考虑LED发光光谱与接收光电器件的光谱响应相匹配，发射光的功率、时间响应也应满足要求。 目前，随着LED制造技术的发展，发光功率增大，发光光谱的扩展，LED光源在图像传感器应用技术中作为光源的应用与日俱增。 国际知名LED光源制造厂商，国内代理可购买（北京凌云或大恒） 德国：肖特 日本：创造性的用户满意 日本：茉丽特 资料来源:日本基恩士KEYENCE公司的技术文档 5 激光光源 ①激光的产生机理 受激辐射 当粒子从高能级跃迁到低能级是发出辐射光子，而当粒子从低能级跃迁到高能级时将吸收光子（粒子吸收了光子的能量将从低能级跃入高能级）。激光的产生机理一般涉及受激辐射、粒子数反转和谐振腔三个关键问题。 图所示原子因受激而从不稳定的受激能级E2跃回到基态，并发射出辐射。 粒子数反转 谐振腔 激光物质发生粒子数反转后，还不足以使其产生激光为使发射光束具有激光的特点还必须使其产生“振荡”形成“谐振”该装置称谐振腔 要使激光工作物质的受激辐射占主导地位，就必须从外部给工作物质提供能量，如光激励或正向PN结注入等，使处于激发态的载流子数远大于处于基态的载流子数。也就是把载流子的正常分布倒转过来，称为粒子数的反转或称为粒子分布的反转状态。粒子数的反转是使受激辐射从次要地位转化为主导地位的必要条件，也是产生激光发射的必要条件。 获得激光输出的3个必要条件为： ①泵浦源:将处于低能态的电子激发或泵浦到较高能态去, ②粒子数反转:使处于激发态的载流子数远大于处于基态的载流子: (可采用适当谱线的强光对激光物质照射-固体激光器) (使气体电离-气体激光器) (采用注入载流子方法-半导体激光器) ③谐振腔为出射光子提供正反馈及高的增益，用以维持受激辐射 的持续下去 砷化镓激光器（半导体激光器） 氦氖激光器（气体激光器） ②激光器的类型 目前已研制成功的激光器达数百种，输出波长范围从近紫外直到远红外，辐射功率从几毫瓦至上万瓦，一般按工作物质分类，激光器可分为气体激光器、固体激光器、燃料激光器和半导体激光器等。 在诸多种类的激光器中，氦氖气体激光器和半导体激光器在精密检测、光电信息处理、全息摄影、准直导向、大地测量等技术中有着极为广泛的应用。下面简单介绍这两种激光器。 ③激光的特性## 氦氖激光器 氦氖激光器氦氖激光器工作物质由氦气和氖气组