材料缺陷简介.ppt

晶体结构分类 金属晶体 离子晶体 原子晶体 分子晶体 混合型晶体 晶体缺陷 点缺陷 理想晶体中的一些原子被外界原子所代替，或者在晶格间隙中掺入原子，或者留有原子空位，破坏了有规则的周期性排列，造成晶体结构中原子位置的不完整性，称为点缺陷。包括结构缺陷、组成缺陷、电荷缺陷。 点缺陷是在晶体晶格结点上或邻近区域偏离其正常结构的一种缺陷。它是最简单的晶体缺陷，在三维空间各个方向上尺寸都很小，范围约为一个或几个原子尺度。 结构缺陷 空位是晶体中没有被占据的原子位置，空的点阵位置。 间隙是晶体本身的原子占据了缝隙位置。 组成缺陷 电荷缺陷 色心 点缺陷反应方程 反应物由生成缺陷主成分的 物质组成 箭头表示反应方向 箭头上表示基质的化学式 生成物主要由缺陷组成 点缺陷对晶体材料性能的影响 线缺陷（一维缺陷） 晶体受应力作用使晶体内部质点排列变形，造成原子行列间的相互滑移而形成的非理想晶格的有秩序排列。 以一条线为中心发生的结构错乱。 位错 刃位错和螺位错。 刃位错攀移示意图 面缺陷 晶体中的原子面从一个晶粒到相邻晶粒的不连续性所造成的缺陷称为晶体的面缺陷。 晶粒之间的边界（晶界）具有原子堆积不完善特性，具有高的能量区域。 交界面两侧出现不同排列的缺陷。 面心立方结构的晶体中的正常堆垛方式是六方密排面作……△△△△△△△△……的完全顺顺序堆垛（或与此等价，作……▽▽▽▽▽……完全逆顺序堆垛）。如果从某一层起全部变为逆时针堆垛，例如……△△△△▽▽▽▽……，则这一原子面成为一个反映面，两侧晶体以此面成镜面对称。这两部分晶体成孪晶关系，由于两者具有反映关系，称反映孪晶，该晶面称孪晶界面。 体缺陷 固溶体 化学计量各元素原子数均为简单整数比 TiO2-x结构缺陷示意图 晶体中原子及分子的运动 （二）晶界 在多晶体中，结构、成分相同，但位向不同的相邻晶粒之间的界面称为晶界。晶界是晶粒从有序到无序区域的过渡地带。 晶界结构和性质与相邻晶粒的取向差有关，当取向差小于10o时， 晶界称为小角晶界；当取向大于10o时，晶界称为大角度晶界。 实际的多晶材料一般都是大角度晶界，但晶粒内部的亚晶界则 是小角晶界。 1. 小角晶界 （1）对称倾侧晶界(tilt boundary)： 两侧的晶界有位向差θ，相当于晶界两边的晶体绕平行于位错线的轴，各自旋转了方向相反的θ/2角而形成的。 （2）扭转晶界(twist boundary)： 将一块晶体沿中间平面切开，然后使右半部分绕Y轴转动θ角 ，即得扭转晶界。 2. 大角晶界 相邻两晶粒之间位向差大于10o的晶界，通常称为大角晶界。 B：受压缩的区域 D：同属于两个晶粒的原子 C：受拉伸的区域 A：不属于任一晶粒的原子 3. 晶界能量 晶界上原子排列是畸变的，因而自由能升高，通常把单位界面上的能量升高值称为晶界能。晶界能可以界面张力的形式表现出来，当三个晶粒共同相遇于O点时，作用于此点的界面张力应彼此平衡，其矢量和应为零。 4. 晶界特性 1）晶体中的晶粒总具有自发长大和使界面平直化以减少晶界总面积的趋势 2）晶界处原子排列的不规则性，会阻碍位错通过，宏观上表现为晶界有较高的强度 3）晶界的熔点较低，金属的熔化总是从晶界处开始 4）晶界上具有较高的能量，相变时往往在晶界上首先形核 5）晶界上的原子处于不稳定状态，因此晶界的腐蚀速度一般比晶内快 6）由于晶界能的存在，当金属中含有可降低界面能的异类原子时，它们会向晶界处偏聚，这种现象称为内吸附。凡是提高界面能的原子将会偏聚于晶粒内部，称为反吸附。 （三）层错 层错是在密排晶体中原子面的堆垛顺序出现反常所造成的面缺陷。 以面心立方结构为例，当正常层序中抽走一密排层,相应位置出现一个逆顺序堆层……ABCACABC……称抽出型(或内禀)层错；如果正常层序中插入一密排层，相应位置出现两个逆顺序堆层……ABCACBCAB……称插入型(或外禀)层错。 这种结构变化，并不改变层错处原子最近邻的关系(包括配位数、键长、键角)，只改变次近邻的错排，几乎不产生畸变，所引起的畸变能很小。因而，层错是一种低能量的界面。 除密推积结构外，其他类型的晶体也可能出现层错，如金刚石结构和闪锌矿结构的{1 1 1}面在外延生长过程中，将会出现层错。 （四）反映孪晶界面 沿着孪晶界面，孪晶的两部分完全密合，最近邻关系不发生任何改变，只有次近邻关系才有变化，引入的原子错排很小，称共格孪晶界面。孪晶界面的能量约为