期中考前复习资料-义守大学.doc

96 學年第一學期 義守大學 人類與科技期中考 姓名: 學號: 陳柏頴老師命題 期中考前整理 1.試解釋為何矽為最常使用的半導體材料 ? 〔解答〕(i)因為矽可以有單晶的結構，所以其材材料改質具周期與可預測性。 (ii)半導體元件所需的各種成份均可由矽材改質而獲得。 (iii)矽是地表上最大藏量，所以可以用相當便宜的成本即可獲得，畢竟矽可以從砂中精鍊而得。 (iv)相當容易去完成由矽開始的材料改質。 2. 試用原子結構解釋為何銅 (Cu) 是導體而矽(Si)是半導體材料? 〔解答〕(i)下圖是矽原子與銅原子之原子結構。矽原子的核心具有+4的淨電荷(14個質子減去10個電子)，而銅原子之核心具有+1的淨電荷(29質子個減去28個電子) ，銅原子的價電子會”感受到”+1的吸引力，而矽原子的價電子會”感受到”+4的吸引力，所以矽材料中將價電子束縛在原子四周的吸引力比銅原子施加四倍多的吸引力，又矽材料中的價電子位於第3層的能階層，而銅材料中的價電子位於第4層的能階層，所以銅原子的價電子距離原子核更遠，因此銅原子的價電子比矽原子的價電子受到原子核有較小的束縛力，況銅原子的價電子比矽原子的價電子有較高的能量。這意謂銅原子的價電子比矽原子的價電子更容易游離而成為自由電子。 3. 半導體製程中particle產生的來源為何? 〔解答〕1. 操作員(operator): 生產線所有操作人員是particle 產生的最大源頭且也是最難捉摸與掌控的污染源(因為操作員是隨時隨地在移動)。 Particle (微粒子)在操作員上之來源可從衣服、手套、皮屑、口沬、油脂, ----等此類particle之改善可從工作紀律(displance)作要求而獲得改善。 2. 製程過程: 製程過程包括生產機台或生產之原物料都是particle產生的來源，此類particle 可由機台保養包括年保、月保、或機台monitor而或得改善。 3. 環境: 生產外在環境包括生產廠房四周的衛生環境、大氣壓力、氣流方向、溫度都會造成生產線particle增減來源。 4. 半導體製程中清洗(clean) 之步驟、化學成份、操作溫度與清洗目的各為何 ? 〔解答〕 5. 試繪圖並說明Passivation完成後元件結構之斷面圖。 〔解答〕 6. WAT (wafer acceptanced test) 的 重 要 性為何? 〔解答〕1. Wafer Acceptance Test, 晶片允收測試 2. Electrical test v.s. physical check 3. DC characteristics of IC circuit v.s. AC characteristics 4. The acceptance test v.s. monitor 7. 請以最重要的十步驟說明半導體製程的順序與內容 〔解答〕1. Zero Layer (零層) 2. Well Formation (井形成) 3. Active Region Definition (作用區定義) 4. Device Isolation Adjustment (元件電性隔絕與參數調整) 5. Gate Stack (閘極層疊) 6. LDD S/D Engineering (淡參雜及源/汲極工程) 7. ILD (Inter-Layer Dielectric) Contact (介層介電質與接觸點) 8. Metal (金屬層) 9. IMD (Inter-Metal Dielectric) VIA (金屬介層介電質與VIA) 10. Passivation (保護層) 8. 微粒之去除時需考的要素 〔解答〕1. 會造成圖案缺陷、絕緣膜耐壓不足、居部離子值入不佳等問題。 2. 在乾蝕刻、離子植入、 濺鍍、CVD時會造成微粒吸附在晶圓上。 3. 去除方法: NH4OH清洗會使粒子產生與矽基板同電位而互相排斥。 (ii) NH3之添加會造成晶圓表面粗糙， 使得氧化層QBD變差。 9. Gate oxide沉積前之B-clean的目的為何 ? 其中APM dip time會影響產品甚麼參數 ? 〔解答〕 (i) B-clean的目的是為去除 Si表面的 particle, metal i