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IC制造流程简介ANDY 相关定义 半导体是指导电能力介于导体和非导体之间的材料，其指四价硅中添加三价或五价化学元素而形成的电子元件，它有方向性可以用来制造逻辑线路使电路具有处理资讯的功能。 半导体的传导率可由搀杂物的浓度来控制：搀杂物的浓度越高，半导体的电阻系数就越底。 P型半导体中的多数载体是电洞。硼是P型的掺杂物。 N型半导体的多数载体是电子。磷，砷，锑是N型的搀杂物。 相关定义 集成电路是指把特定电路所需的各种电子元件及线路缩小并制作在大小仅及2CM平方或更小的面积上的一种电子产品。 相关定义 集成电路主要种类有两种：逻辑LOGIC及记忆体MEMORY。前者主要执行逻辑的运算如电脑的微处理器后者则如只读器READ ONLY 及随机处理器RANDOM ACCESS MEMORY等。集成电路的生产主要分三个阶段：硅镜片WAFER的制造，集成电路的制造及集成电路的包装PACKAGE 製程 The Introduction to The Manufacturing Process of VLSI ANDY 晶圓(Wafer) 微影(Photolithography) 原理：在晶片表面上覆上一層感光材料，來自光源的平行光透過光罩的圖形，使得晶片表面的感光材料進行選擇性的感光。 ? 感光材料：正片－經過顯影(Development)，材料所獲得的圖案與光罩上相同稱為正片。負片－如果彼此成互補的關係稱負片 正光阻：受光部分经显影后去除。负光阻：受光部分经显影后保留。（SWELLING会增加误差） (a) Isotropic Etching：A=0 (Erh=Erv) (b) Anisotropic Etching：A=1 (Erh=0) Isotropic Anisotropic Quartz dome Silicon wafer Silicon carbide coated graphite RF Coil Gas in Gas exit Silicon carbide susceptor Gas exit Silicon wafers RF induction heating coil Dry Etching System - 1 (a) Sputtering Etching (b) Plasma Etching (c) Reactive Ion Etching Ion Reactive Ion Volatile Product Volatile Product Reactive Ion RIE Scheme Diagram of RIE System Gas In To Vacuum Pump Plasma Electrode RF Annealing SiO2 Post Ion Implantation Annealing RTP Furnace Reaction Room Gas in (H2) Wafer 3-Zone Heating Element Gas out Gas in (O2) Loading Area Rapid Thermal Processing ΔT/s 100 °C/s Uniform Temperature Changing Low Thermal Budget (to compare with Furnace) To Avoid MOS Distortion Halogen-W Heater (vertical) Halogen-W Heater (horizontal) Wafer Gas out Gas in Typical RTP System Quartz Shelf The End Thank you! 半導體製程: ?氧化 / 薄膜 ?黃光 ?摻雜-離子佈植-擴散 ?退火 ?蝕刻 ?平坦化 1 无污染线性下降。 2 种晶浸入溶液，种晶上的凝结过程即告开始。3 部分已成长的晶体。（石墨坩埚） 1 已成长的晶体。2 研磨以去除表面起伏，锯除多余部分。3 确定平坦的基准面之后切片。4 研磨，边缘倒角。5 切片抛光得到WAFER Priming(HMDS) 有利于光阻和WAFER间的附着能力。 曝光：接触式（光罩表面容易沾微粒及线宽有限，已淘汰）投影式-5倍10倍-（解析度高；杂质容忍度高） 显影—氧化层蚀刻—剥除光阻 正负光阻的不同会有不同的蚀刻 掺杂：在半導體中加入施體(Donor)或受體(acceptor)，而在半導體內產生雜質能階，使半導體的電性發生變化，而形成非本徵半導體。因此在半導體內加入少量特定雜