纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构.docVIP

Modern Physics 现代物理, 2011, 1, 59-65 /10.12677/mp.2011.13010 Published Online November 2011 (/journal/mp/) Fabrication of Si-Based 1D,2D Ordered Nano Structure by Nanoimprint Lithography* Wei Li College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing Email: Liw@ Received: Aug. 31st, 2011; revised: Oct. 9th, 2011; accepted: Oct. 11th, 2011. Abstract: The dimension of the microelectronic devices is reduced year by year as the development of the modern microelectronic technology. So, the research of the fabrication of nanometer structures becomes one of the most interesting topics. Nanoimprint lithography (NIL) is a more promising technology. In this paper, the process of nanoimprint lithography was introduced. And, 1-D and 2-D quartz grating molds with the pe- riod 2 μm was transferred to Si substrate by NIL. The resolution is only related to the size and the template pattern without the limitation of optical lithography exposure wavelength. AFM measurement showed the perfect fidelity of the imprint process. Keywords: Nanoimprint Lithography; Ordered Structure; Reaction Ion Etching 纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构* 李 卫 南京邮电大学，电子科学与工程学院微电子系，南京 Email: Liw@ 收稿日期：2011年 8月 31日；修回日期：2011年 10月 9日；录用日期：2011年 10月 11日 摘 要：微电子器件的小型化是集成电路图形尺寸即将突破传统光刻极限，发展新的微加工技术更是当 今科研工作在重要目标之一。纳米压印技术是较有应用前景的技术。本文主要介绍了纳米压印的基本过 程，利用一维和二维石英光栅为模版，采用紫外光固化原理，将模版上的有序周期结构转移到光刻胶上。 其分辨率只与模版图案的尺寸有关，而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制。利用反应离子刻蚀技 术将已固化的光刻胶上的图形最终转移到硅衬底上。AFM 观测结果表明压印过程可以将模版上的结构 完全保真地转移到硅衬底上。 关键词：纳米压印；有序纳米结构；等离子刻蚀技术 1. 引言 光刻方法大大降低了成本。 纳米压印(NIL)技术 的研究始于普林斯顿大学 纳米结构实验室 Stephen Y. Chou教授，这种技术将一 具有纳米图案的模版以机械力 (高温、高压)在涂有高 分子材料的硅基板上等比例压印复制纳米图案，其加 工分辨率只与模版图案的尺寸有关，而不受光学光刻 的最短曝光波长的物理限制。由于省去了光学光刻掩 模版和使用光学成像设备的成本。因此 NIL技术具有 低成本、高产出的经济优势。此外，NIL 技术可应用 [1,2] 由于经济原因促使半导体行业朝着不断缩小特征 尺寸方向发展，随之而来的技术进步导致了设备的成 本以指数增长。由于成本的增长，人们对纳米压印这 一低成本图形转移技术的关注越来越多。通过避免使 用昂贵的光源和投影光学系统，纳米压印光刻比传统 * 江苏省高校自然科学基金(批准号：09KJB510014)，南京邮电大学 引进人才科研启动基金(批准号：NY208057)，南京邮电大学教