PowerMOSFETBasicandApplication要点.pptVIP

AOS Confidential 功率MOSFET基础AOS上海应用中心 刘松 Power MOSFET 内容 功率MOSFET内部结构 MOSFET工作原理 MOSFET重要参数 Drain Source Gate Drain Gate Source Circuit Symbol Package Pin Layout MOSFET内部结构 横向导电(信号MOSFET）/垂直导电（功率MOSFET） 垂直导电：平面型和沟槽型Trench(U型沟槽和V型沟槽） 功率MOSFET为多单元集成结构 Power MOSFET 横向导电:平面型 垂直导电:V型沟槽 垂直导电:平面型 垂直导电:U型沟槽 Power MOSFET 平面型MOSFET 没有充分应用芯片的尺寸，电流和电压额定值有限 适合低压应用，如微处理器，运放，数字电路 低的电容，快的开关速度 增加或减少门极电压会增大或减少N沟道的大小，以此来控制器件导通 沟道 Vdd D S G Load Driver Power MOSFET 垂直导电型MOSFET 平面型：具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET Vertical Double-diffused MOSFET，多个单元结构。具有相同RDS(on)电阻MOSFET并联，等效电阻为一个MOSFET单元RDS(on)的1/n。裸片面积越大其导通