不同检测电容结构对MEMS电容传感器性能的影响分析.pdfVIP

第23卷 第4期 传 感 技 术 学 报 V01．23 NO．4 2010年 4月 CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORS Apr．2010 EffectsofDifferentStructureofSensingCapacitanceon Performance 0fMEM SCapacitiveSensor DoNGLinxi 。LlShouluo、 CHENJindan1，YAN Haixia ， 。 ⅣG Guangyi，SUN Lingling ， ，1．TheKeyLaboratoryofRFCircuitsand ￡emofMin~tryofEducation，HangzhouDianziUniversity，Hangzhou310018，China I2．ToshibaHydro．ElectroEquipmentsCompany．Hangzhou311504，China ， Abstract：OptimizingthestructureofasensingcapacitancecanimprovetheperformancesofMEMSaccelerometer． ThecharacteristicsofMEMS capacitiveaccelerometerswith comb，barandcomb-barcapacitances，respectively， havebeenanalyzed．Theproofmass，airdamping and dampingratioofthethree differentsensorstructuresare comparedontheconditionofsamedimension，elasticconstantofthespring，thicknessoftheproofmass，distance betweentheproofmassandthesubstrate．Theresultsshow thattheproofmassofbarcapacitancesensorislargest， anditsairdampingisleast，whichissuitableforhigh—precisesensor．Thesensitivityofcombcapacitancesensorin airisincreasedwhiletheairdampingisincreasedtoo，SOitissuitableofrhigh—sensitivityandlow—precisesensor． Thecomb—barcapacitanceissuitablefnrthesensorswhichneedbothhighsensitivityandprecision．Anexampleis takentoprovetheresults． Keywords：MEMS；Microcapacitiveinertialsensor；Structureofdetectingcapacitance EEACC：7230：2130 不同检测电容结构对 MEMS电容传感器性能的影响分析木 董林玺 ，李寿洛 ，陈金丹 ，颜海霞 ，许 立 ，王光义 ，孙玲玲 ，1．杭州 电子科技大学射频 电路与系统教育部重点实验室，杭州 310018；、 ＼2．东芝水电设备有限公司，杭州311504 ／ 摘 要 ：改进传感器检测电容几何结构能有效改善传感器的性能。本文对梳齿电极结构、栅形电极结构及梳栅电极结构检 测电容的性能特点进行分析比较，重点分析了振子质量、空气阻尼、系统阻尼系数比以及灵敏度等特性，得出在相同的外轮廓 尺寸、支撑梁、振子厚度以及振子到衬底的距离的条件下，栅形结构传感器的振子质量最大，空气阻尼最小，适合制作高分辨