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正弦电流刺激下神经元的放电模式.pdf

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正弦电流刺激下神经元的放电模式

15  2                 Vol.15  No.2  2002  4       Spac M dicin M dical Engin ring     Apr.2002  正弦电流刺激下神经元的放电模式* 朱俊玲, 沈强, 蒋大宗 ( , 710049) : 了解不同变率和时程的电流刺激下神经元的放电情况。在经典的H-H 神经元模型 上,用不同频率和振幅的正 电流作为刺激信号, 仿真研究神经元的放电情况。 正 电流刺激在 很大的频率范围内可以引发神经元的阵发放电,特别是足够强的超低频正 电流刺激可引起神经元的 长时程阵发放电。变率很小的电流刺激可以引发神经元的长时程阵发放电, 这是对传统的神经元 适应性观点的补充。 同时也说明了强度大的慢突触后电位不仅仅具有对突触功效调节的作用, 也是神 经元超常兴奋的原因之一, 或许还是某些疾病或神经功能紊乱(如癫痫)的电生理机制所在。 :H-H 模型;神经元;正 波刺激;阵发放电 :R338.8   :A   :1002-0837(2002)02-0 108-4 D ischarge Patterns of Neurons under Sinusoidal Current Sti mulation.ZHU Jun-ling, SHEN Qiang, JIANG Da-zong.Spac M dicin M dical Engin ring,2002, 15 (2):108-111 Abstract:Objective To find out th discharg patt rns of n urons stimulat d by sinusoidal curr nts w ith diff r nt gradi nt and tim -cours .Method Discharg of n urons w as inv stigat d by simulation m thod basing on th classical H-H mod l.Th stimulus is sinusoidal curr nt with diff r nt fr qu nci s and ampli- tud s.Result Bursting can b induc d by sinusoidal curr nt stimulation in a wid rang of fr qu ncy .In particular, long tim -cours bursting can b induc d by sinusoidal curr nt with an ultralow fr qu ncy.Con- clusion Long tim -cours bursting can b induc d by curr nt stimulation w ith v ry small gradi nt, w hich is a compl m ntarity to th traditional accommodation of n urons.At th sam tim , it sugg sts that slow EPSP/EPSC w ith nough int nsity is not only a modulation to synaptic fficacy but is also on of th r a- sons of n urons sup rnormal xcitability.It might b th, l ctrophysiological m chanism of som dis as s or n uropathic function disord rs, such as pil psy . Key words:H-H mod l;n urons;sin w av stimulation;bursting Address reprint requests to:JIANG Da-zong.Biom dical Engin ring Institut , Xi an Jiaotong Univ rsity,, Xi an 710049, China, [3]   , (b ll-shap d ), ,。 , ,

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