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谢谢！ 浅谈失效分析  张 波 2010-11-29 ——读《电子元器件失效分析》后感 什么是电子元器件失效 1．失效术语简介 2．失效模式介绍 3．失效分析程序 4. 失效分析技术 5. 失效分析使用的仪器 失效分析术语简介 什么是失效？ 器件性能发生剧烈的或是缓慢的变化,这些变化达到一定程度,器件不能正常工作,这种现象叫做失效。 什么是失效模式？ 指失效的表现形式，一般指器件失效时的状态，如开路、短路、漏电或参数漂移等。 失效分析术语简介 失效机理 失效的物理和化学根源叫失效机理。 物理和化学根源包括：环境、应力和时间，环境和应力包括温度、湿度、电、机械等。 失效模式介绍 失效模式主要有：开路、短路、电参数超差、 漏电 按失效的持续性 致命性 、间歇性、缓慢退化 按失效时间 早期失效 、随机失效 、磨损失效 失效分析程序 失效分析技术 以失效分析为目的的电测技术 无损失效分析技术 样品制备技术 失效定位分析技术 不同与质量检验为目的的测试，采用非标准化的测试方法，可以简化． 包括引脚测试和芯片测试两类 可以确定失效的管脚和模式，但不能确定失效的确切部位 1.以失效分析为目的的电测技术 连接性测试：万用表测量各管脚对地端/电源端/另一管脚的电阻，可发现开路、短路和特性退化的管脚。电阻显著增大或减小说明有金属化开路或漏电部位。 待机(stand by)电流测试:所有输入端接地（或电源），所有输出端开路，测电源端对地端的电流。待机(stand by)电流显著增大说明有漏电失效部位。待机(stand by)电流显著减小说明有开路失效部位。 管脚测试 管脚测试可以确定失效的模式和管脚，无法确定失效的确切部位 例1：桥堆的+AC1电性失效，其余管脚OK，则可以只对+AC1的晶粒做后续分析，如X-RAY等 例2：TO220AB的一端测试显示HI-VF，我们可以估计可能的失效模式为晶粒横裂等。 芯片测试（DECAP后的测试） 芯片测试可以缩小失效分析的范围，省去一些分析步骤 例：做过PCT的失效器件在去黑胶后测试电性恢复，后续的去铜可以不做，可以初步判定失效机理为水汽进入封装本体引起，导致失效 定义：不必打开封装对样品进行失效分析的方法，一般有： 显微镜的外观检验 X-RAY检查内部结构 C-SAM 扫描内部结构及分层---------反射式声学扫描显微技术 2.无损失效分析技术 X-RAY 原理与医用的X射线透视技术完全相同，器件的不同材料造成不同的吸收系数，收集穿透的X射线通过图象处理可反映不同部位的影象 可以观察器件内部结构，焊锡的状况，本体气孔等 例：DF-M的焊锡气孔（手动与自动制程的差异） C-SAM(反射式声学扫描显微技术) 原理：利用超声脉冲探测样品内部的空隙缺陷等，超声波对于不同的介质都会产生发射波，如果遇到空气即100反射，该技术是对器件分层最有效的检测方法 可以检测材料结构界面的粘连和分层状况，及塑封材料的空洞、芯片开裂等。 例：分层器件与正常器件的C-SAM图片 X射线透视与反射式声扫描比较: 种类 应用优势 基本原理 X射线透视象 观察材料高密度区的完整性 透过材料高密度区X射线强度衰减 C-SAM象 观察材料内部空隙，如芯片粘接不良，器件封装不良 超声波传播遇空气隙受阻反射 3.样品制备技术 DE-CAP分析 利用强酸将器件的封装去处，展示材料的内部结构，是一个破坏性的分析技术，不可逆转，因此在进行此步分析时请确认所有非破坏性的分析已经完成，通常用烧杯中加热的方式，更高级的DE-CAP有专门的设备 分析人员须考虑潜在的损坏和每项分析的目的 高级的DE-CAP设备原理图 步骤一：去黑胶 配比：发烟HNO3：H2SO4=3：1 加热时间：煮沸后5-10分钟（根据材料大小） 注意：酸液不能超过烧杯的规定刻度，以防加热过程酸液溅出来 显微镜观察焊接件结构，芯片的外观检查等 烘烤后测试 步骤二：去铜 配比 浓硝酸 加热时间：沸腾后3-5分钟离开电炉至铜反应完 注意：加热沸腾比较剧烈，加酸液的液面不要超过烧杯的规定刻度， 显微镜观察，焊锡的覆盖面积、气孔、位置、焊锡颗粒，芯片Crack等 步骤三：去焊锡 配比 浓硝酸 加热时间：沸腾后30分钟左右 注意：加酸液的液面不要超过烧杯规定刻度，以防止酸液溅出 显微镜观察，芯片正反两面观察，Surge mark点，结构电性确认 去钝化层的技术 湿法：如用HF：H2O＝1：1溶液去SiO2 85％ HPO3溶液，温度160C去 Si3N4 干法：CF4和O2气体作等离子腐蚀去SiNx和聚酰亚胺 干