《模拟电子技术基础第二版》2.2晶体管基本应用及其分析方法.ppt

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《模拟电子技术基础第二版》2.2晶体管基本应用及其分析方法

2.2 晶体管基本应用及其分析方法 概述 2.2.1 晶体管直流电路及其分析 例2.2.4 2.2.3 晶体管基本放大电路及其分析 一、图解分析法 讨论:CE放大电路的信号放大过程与波形特点 讨论:非线性失真现象及其措施 * 例 二、小信号模型分析法(微变等效电路分析法) 1. 晶体管的小信号模型 讨论 2. 放大电路的小信号模型分析法 例2.2.3 作业:P85 2.3 b c e 晶体管电路分析综合练习1 晶体管电路分析综合练习2 晶体管电路分析综合练习3 2.2复习要求 作业: P27 2.7 (5)求总量 uBE、iB、iC、uCE 例2.2.3 解续: *晶体管电路分析综合练习1 晶体管放大电路如图所示,VCC=12V,UBEQ=0.6V,β=50,试分析:(1)为使静态参数 ICQ= 1.5 mA,UCEQ= 6V,则RC、RB 阻值应取多少?(2) 欲将UCEQ 改为 3.3 V, RC值不变,则RB 阻值应改为多少? 解: (1) 由图可得 由于晶体管工作在放大状态,故 IBQ=ICQ/ β=1.5mA / 50 = 0.03 m A *晶体管电路分析综合练习1 续 晶体管放大电路如图所示,VCC=12V,UBEQ=0.6V,β=50,试分析:(1)为使静态参数 ICQ= 1.5 mA,UCEQ= 6V,则RC、RB 阻值应取多少?(2) 欲将UCEQ 改为 3.3 V, RC值不变,则RB 阻值应改为多少? 解续: (2)当UCEQ= 3.3 V,RC = 4kΩ时,得 IBQ=ICQ / β= 2.2 / 50 = 0.044 m A 例2.2.1 中,若将基极电阻RB调小为51kΩ,其它不变,设饱和压降UCES ?0.3V,试求IBQ 、ICQ、UCEQ 。 * 晶体管电路分析综合练习2 解: 当RB调小为51kΩ时,由电路图可得 例2.2.1中已求得β=100,设晶体管工作在放大状态,则得 例2.2.1 中,若将基极电阻RB调小为51kΩ,其它不变,设饱和压降UCES ?0.3V,试求IBQ 、ICQ、UCEQ 。 * 晶体管电路分析综合练习2 续 解续: UCEQ值不合理,可见假设错误,晶体管已工作于饱和 状态。UCEQ ?UCES?0.3V,则由电路得 因此正确结果应为:IBQ=104?A ,ICQ=5.7mA , UCEQ ?0.3V。 你有别的解题思路吗? 例2.2.1 中,若将基极电阻RB调小为51kΩ,其它不变,设饱和压降UCES ?0.3V,试求IBQ 、ICQ、UCEQ 。 * 晶体管电路分析综合练习2 续 解法二: 你有别的解题思路吗? IBQIBS 所以晶体管已工作于饱和状态。 分析结果为: IBQ=104?A,ICQ=ICS=5.7mA, UCEQ =UCES?0.3V。 图示电路中晶体管均为硅管,试求各电路的 IC、UCE、UO * 晶体管电路分析综合练习3 解: 图(a)中,发射结正偏导通,故 UE ? ?0.7V IE = mA ? 1.77mA 设晶体管工作在放大状态,则 IC ? IE ? 1.77mA UO=UC=10V ? 1.77×5.1V=0.97V UCE=UC ? UE=0.97V ? (? 0.7V)=1.67V 由于UCE0.7V,故上述假设及结论均正确。 解: 图(b)中,发射结正偏导通,故 UEB ? 0.7V UE=2V+0.7V=2.7V 设晶体管工作在放大状态,则 IE= mA=1.43mA IC ? IE =1.43mA UO=UC=(3×1.43 ? 6)V= ? 1.71V UCE=UC ? UE = ? 1.71V ? 2.7V= ? 4.41V 由于该PNP型硅管的UCE?0.7V,故上述假设及结论都是正确的。 *晶体管电路分析综合练习3 续 图示电路中晶体管均为硅管,试求各电路的 IC、UCE、UO * * * * 2.2.1 晶体管直流电路及其分析 2.2.2 晶体管开关电路及晶体管工作 状态的判断 概述 2.2.3 晶体管基本放大电路及其分析 晶体管基本应用 根据放大特性构成放大电路 根据饱和区、截止区所具有的开关特性构成开关电路。 根据恒流特性构成电流源电路 分析方法 图解法 模型分析法或工程近似分析法 晶体管直流电路主要作用:确定Q点或构成电流源电路。 分析方法:主要采用工程近似分析法,也可用图解法。 例2.2.1 下图为某硅晶体管的直流电路和输出特性曲线,试求该

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