《电路与电子学》第8章.pptVIP

第八章?? 半导体和结型二极管 8.1 导体和绝缘体 铜是一种优良的导体，它的电阻很小。 加热铜导线将会改变它的电阻。当加热时导线的电阻会增加。所有的导体都表现出这种效应，即它们变热后其导电能力下降，电阻增加。这样的材料称为具有正温度系数。 与导体相反的物质叫做绝缘体。在绝缘体中，价电子被其母原子紧紧束缚住，它们不容易自由移动，因此当加载电压时，绝缘体只有很少电流或根本没有电流。几乎所有用在电子技术上的绝缘体都是由化合物制成。一些被广泛运用的绝缘材料有橡胶、塑料、聚脂薄膜、陶瓷、特氟隆（聚四氟乙烯）和聚苯乙烯等。 一种物质是否绝缘取决于它原子的排列。 金刚石和石墨都是由碳元素构成的，一个是绝缘体，一个不是绝缘体，区别仅仅是在物质结构中价电子是否被固定住。构成石墨结构的碳习惯上用于制作电阻器和电极。迄今为止，构成金刚石结构的碳还未用于制作电或电子器件。 8.2 半导体 纯硅晶体表现出绝缘体的特性。然而硅本身却被归类为半导体。纯硅晶体有时叫做本征硅（intrinsic silicon），本征硅包含很少支持电流的自由电子，因此表现出绝缘体特性。 加热能够提高硅晶体导电能力，高能电子会脱离共价键的束缚。这种电子可以称为热载流子。它可以自由移动，因此它能够支持电流流动。 硅具有负温度系数。当温度增加时，其电阻就会减小。温度每升高 硅晶体的电阻减少一半。 锗也用来制作二极管和三极管。 硅与锗的区别：在室温条件下，就会看到它们电阻的比率将近1000：1。硅晶体的电阻实际上是锗晶体的1000倍。硅载流子浓度ni＝1.5х1010/cm3 锗载流子浓度 ni＝2.4х1013/ cm3 温度或加热对元件的影响常带来很多的麻烦。使用硅制作元件，可以最大限度地减小温度引起的变化。 测量温度的传感器能利用半导体的温度系数。 电子学从真空管转向半导体由锗开始，但是硅已经取代了锗。硅用于制作集成电路。 自测题: 判断下列说法是否正确 ： 4.? 二氧化硅是一种好的导体。 5.? 硅晶体是通过共价键形成的。 6.? 本征硅在室温条件下作为绝缘体。 7.? 加热半导体硅，其电阻值会减小。 8.? 因加热而逃离共价键的电子叫做热载流子。 9.? 锗的电阻比硅小。 8.3 N型半导体 掺杂是在硅晶体中加入其它杂质的物质来改变其电特性的处理过程 。 砷与硅最重要的区别是在价轨道上有5个价电子。 掺杂降低了硅晶体的电阻。当有5个价电子的施主杂质被掺杂进来，就会产生自由电子。因为电子带有负电荷，我们就说产生了N型半导体。 自测题 填空 ： 10. 砷是一种__________杂质。 11. 当硅晶体掺杂了砷后，每个砷原子 将会给晶体一个自由_________。 12. 硅晶体中的自由电子作为电流的__________。 13. 当硅掺杂后，它的电阻 _________。 ? 8.4 P型半导体 硼只有3个价电子，如果硼原子进入硅晶体，就会产生P型的载流子。 硼称为受主杂质。在晶体中每个硼原子会产生一个能够接受电子的空穴。 空穴也充当载流子。在P型半导体中，空穴是向电压源的负端移动。空穴电流与电子电流相等但方向相反。 自测题： 14.硼是一种_______杂质。 15.电子被指定为带有一个负电荷，那么空穴就有一个_________电荷。 16.掺杂硼的半导体晶体产生的载流子叫_________。 8.5 多数载流子和少数载流子 制成的N型和P型半导体材料，它们的掺杂浓度在百万分之一到十亿分之一，也就是说，仅有微少的带有5个或3个价电子的杂质掺进晶体。（硅原子密度4.96?1022/cm3） 少数载流子：含有三个价电子的原子偶然会在N型半导体中存在，导致不期望的空穴产生，空穴是少数载流子。 在P型半导体中，也有少数的自由电子可能存在，自由电子就是少数载流子。 高温的条件下，少数载流子会增加 。 N型材料晶体中，由加热产生的空穴就成为少数载流子，自由电子加入其他多数载流子。 P型材料晶体，加热产生的自由电子成为少数载流子，空穴加入其他多数载流子。 自测题： 17.为了生产N型的半导体材料，一个典型的掺杂标准是每90个硅原子对应有10个砷原子。 18.P型晶体中，自由电子被称为多数载流子。 19.N型晶体中，空穴被称为少数载流子。 20.当P型半导体材料被加热时，少数载流子将增加。 21.当P型半导体材料被加热时，多数载流子将减少。 22.随着热能增加，多数载流子和少数载流子的数目都会增加。? 8.6 PN 结 因为二极管是连续的晶体，故自由电子能够穿过结点，二极管制成时，有一部分自由电子会穿过结点到达空穴区，将导致“耗尽区”的形成。被捕获的电子充满空穴，由于P型边积累了负电荷，产生的电