电路与模拟电子技术（第2版）第6章二极管和晶体管.ppt

第6章 二极管和晶体管 半导体基础知识 二极管 半导体三极管 本征半导体 电子——空穴对的形成（本征激发） 载流子的运动 杂质半导体 N型半导体 P型半导体 PN结单向导电性 PN 结形成 PN结单向导电性 6、2 半导体二极管 二极管的构成与特性 半导体二极管图片及符号 二极管的伏安特性 二极管基本电路及其分析方法 理想二极管：正向时UD=0导通，反向时截止 例: 6.2.1 例: 6.2.1 例 例 6、3 特殊二极管 稳压二极管 稳压二极管主要参数 稳定电压UZ：指稳压管反向电流为规定值时稳压管两端的电压，如2CW18，稳压管稳压值为10~12V 。 稳压二极管稳压电路 稳压（限流）电阻的计算 变容二极管 光电二极管 发光二极管 例 作业 6、4 半导体三极管 三极管的结构与电流放大原理 三极管的电流放大原理 放大原理 放大系数 三极管特性曲线 输出特性 三极管微变等效电路 输出特性曲线确定输出回路 三极管微变等效电路 作业 P176：6-13 ；6-14；6-16 1.发射区向基区注入电子形成发射极电流IE 2.电子在基区中扩散与复合形成基极主要电流IBE 3.集电区收集扩散过来的电子形成集电极主要电流ICE 4集电区少子空穴与基区中少子电子在反向电压作用下形成反向饱和电流ICBO 5.集电极电流IC= ICE + ICBO 6.基极电流IB= IBE - ICBO 发射结 正偏 集电结 反偏 放大的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 NPN：UBE﹥0，UBC﹤0。即UC﹥UB﹥UE 。 PNP：UBE﹤0，UBC﹥0。即UC﹤UB﹤UE 。 定义三极管的直流电流放大系数： 称为穿透电流 交流电流放大系数： 截止状态： 饱和状态 三极管处于截止状态的条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。即： NPN：UBE≤0，UBC﹤0。 PNP：UBE≥0，UBC﹥0。 截止时IB= 0，IC = IE = 0 三极管处于饱和状态的条件：发射结正偏，集电结正偏或零偏。即： NPN：UBE﹥0，UBC≤0。 PNP：UBE﹤0，UBC≤0。 饱和时UCES=0.3 当UBC =0时称为临界饱和状态 三极管的另两种工作状态 反映三极管各极电压和电流之间的相互关系的曲线。 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验电路(共发射极接法) C B E RC 输入特性 UCE为常数时，IB 与UBE的关系曲线（同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V 工作压降： 硅管UBE ? 0.7V左右 输出特性 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IC(mA ) 60?A 40?A Q Q ? ≈ IC / IB =2 mA/40?A=50 ? ≈ IC / IB =3 mA/ 60?A=50 ? = Δ IC / Δ IB =(3-2)mA/(60-40) ?A=50 放大区：IC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 饱和区：IC明显受UCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 输出特性曲线的三个区域: 截止区：IC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， UBE小于死区电压。 三极管三种工作状态的特点: (2) 饱和状态 BE结正偏，BC结正偏 ，即UCE?UBE ，（UCE＝UBE称为临界饱和） IC与IB不成比例，UCE?0.3V ,C、E电极间相当于短路。 (3) 截止状态 BE结反偏， BC结反偏，（或 UBE 死区电压。）IB=0 ， IC=ICEO ? 0 ，C、E电极间相当于开路。 (1) 放大状态 BE结正偏，BC结反偏， IC ≈ ?IB , △ IC = β △ IB ，UCE1V。 设三极管处于放大状态，测得各脚对地的电位如下表，试判断管型（NPN或PNP）、材料（硅或锗），并确定B、E、C极。 -3 -2.3 -10 D -2.3 5 -2 C 2.7 2 8 B -5 0.3 0 A C B E 材料 管型 U3 U2 U1 序号 例 判断方法： (1) 在三个电极电压中判断有无电压差为0.2-0.3V或0.6-0.7V，从而确定材料和C极； （2）如C极电压最高，则为NPN，最低则为PNP。 （3）确定B、E极。 PNP 锗 U2 U1 U3 思路：等效 B E C + - iB uBE +