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单晶培养的一些问题
单晶培养的一些问题
1.单晶培养的方法多种多样,我们没必要掌握那些难以操作的,如升华法、共结晶法等。最简
单的最实用。常用的有1.溶剂缓慢挥发法;2.液相扩散法;3.气相扩散法。99 %的单晶是用以上三种
方法培养出来的。
2.单晶培养所需样品用量。一般以 10-25mg 为佳,如果你只有2mg 左右样品,也没关系,但
这时就要选择液相扩散法和气相扩散法,不能使用溶剂缓慢挥发法。
3.单晶培养的样品的预处理。样品溶解后一定要过滤,不能用滤纸,而是用一小团棉花轻轻的
塞在滴管的中下部或下部,不要塞太紧,否则流的太慢。样品当然是越纯越好,不过如果实在没办
法弄纯也没关系,培养一次就相当于提纯了一次,我经常用一些TLC 显示有杂点的东西长单晶,但
得多养几次。
4.一定要做好记录。一次就得到单晶的可能性比较小。因此最好的方法就是在第一次培养单晶
的时候,采取少量多溶剂体系的办法。如果你有50mg 样品,建议你以5mg 为一单位, 这样你可以
同时实验10 种溶剂体系,而不是选两种溶剂体系,每个体系25mg 。这是做好记录就特别重要,以
免下次又采用已经失败的溶剂体系,而且单晶解析 时必须知道所用的溶剂。
5.培养单晶时,最好放到没人碰的地方,这点大家都知道。我想说的是你不能一天去看几次也
不能放在那里5,6 天不管。也许有的溶剂体系一天就析出了晶体,结果5 天后,溶剂全干了。一般
一天看一次合适,看的时候不要动它。明显不行的体系 (如析出絮状固体)就要重新用别的溶剂体
系再重新培养。
6.液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2 -1:4 。
7.烷基链超过4 个碳的很难培养单晶。
8.分子中最好不要有叔丁基,因为容易无序,影响单晶解析的质量。
9.含氯的取代基一般容易长单晶,如4 -氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单
晶体培养步骤:
一支管法: 在单晶制备时,经常会发现配位一发生,产生大量的微晶,再去挥发母液,怎么都
长不大,以前听人说可用扩散法,但受到文献启示,可以找一根长玻璃管,底下注入盐的溶液,上
面加一个纯溶剂缓冲层 (可长可短),最上面注入 (先慢后快)配体溶液,两三个小时或两三天就搞
定了。原理是:玻璃管越细,两层间的接触面越小,扩散速度降低,有效避免新手一扩散就出沉淀
的尴尬!
试管法:
反应发生就产生大量的微晶,再去挥发母液,怎么都长不大。可以找一根长15 厘米直径为1- 1.5
厘米的试管,底下直接放入盐的固体,加大量溶剂 (先慢后快)最上面注入 (先慢后快)配体溶液
(上下溶剂可以相同,但为了保险,可在配体溶液中加入密度小的溶解性差的溶剂,如石油醚或乙
酸乙酯;如果不同,一定要注意上面的密度要小!!),两三个小时或两三天就搞定了。新手两三次就
搞定了!原理:文献上都说上下两层均溶液,但是操作起来很困难,如果直接放入盐或者配体的固
体,就增加了溶解的平衡,先慢是为了固体或溶液被猛烈撞击,后快是为了让刚溶解的部分死心塌
1
地的呆在他应处的地方 (好像违反动力学,但是是真的)如果有专用的石英管 (一端粗、一端细),
可将晶体吸入到管中,除去大部分溶剂,但是一定要有溶剂,用打火机迅速封烧较细端,用较细滴
管 (或针管)吸少量母液,将该管放入离心机的塑料管中,低速离心,使得晶体既保持在母液中,
又能完全卡在合适的位置而不乱动。如没有专用的石英管,可用废核磁管自己拉一根。
金属配合物单晶的培养
方法一:挥发
用金属配合物的良溶剂将其溶解在小烧杯中,小烧杯的内表面越光滑单晶性越好,否则晶体形
状不好缺陷多就会给后面的收单晶衍射数据带来麻烦,甚至会造成无法解晶体结构,那将是非常可
惜的;烧杯用滤纸或塑料薄膜封口防止灰尘落入,同时减慢挥发速度,长出较好晶形的单晶,一般
挥发性稍差的溶剂用滤纸,如,水等。静置至发现满意的晶体出现。
方法二:扩散
用金属配合物的良溶剂将其溶解在小烧杯或广口瓶中,塑料薄膜封口 (用针戳3-5 个小孔),放
于盛有该金属配合物的挥发性不良溶剂 (一般用乙醚)的大瓶子中。静置至发现满意的晶体出现。
方法三:分层
将金属的水溶液放于试管下层,配体的有机溶剂溶液放于试管上层,中间是水和有机溶
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