第四章智能传感器系统的集成技术.ppt

(5) 采用微电镀方法在第一级结构空隙里填充金属。 (6) 将第一级结构清除， 从而得到一个全金属的第二级结构。 (7) 将聚合物注入到第二级结构中进行模塑。 (8) 从金属模具中抽出模塑的聚合物形成第三级结构(图 4-32(h))。 在进行微电镀时，电镀的金属可以超过第一级结构，此时PMMA胶完全被金属包封起来，只有将金属衬底除掉，PMMA胶才能够释放出来。 用这种方法可以得到一个模具，利用模具能生产大量高质量、 低成本的微型结构。 图 4 - 32 LIGA技术工艺过程 其主要工艺过程如下： (1) 在经过化学清洗干净的玻璃片或硅片上，采用溅射镀膜的方法均匀镀上 1~2 μm的金属膜作为电铸时的导电层和牺牲层， 要求金属膜与基片表面结合牢固。 (2) 在金属膜上涂敷正性光刻胶，采用 2~3 次涂敷，涂层厚度可达到 25 μm左右。 (3) 将掩模版置于光刻胶上，为得到陡削胶膜，掩模版与光刻胶必须有良好的接触。 (4) 采用高压汞灯或其它紫外光源对光刻胶进行曝光， 接着在显影液中对光刻胶进行显影。 (5) 把托载有光刻胶膜结构带有金属基底的基片作为阴极进行电镀，电解液中的金属阳离子沉积在阴极的金属基底上生成金属层，并逐渐填满光刻微结构模具，制成金属结构。  (6) 将电铸成形的金属结构放入光刻胶腐蚀液中， 进行去胶处理。 (7) 最后，在化学溶液中将作为导电层和牺牲层的金属膜腐蚀掉， 就得到一个微金属结构。 4.4 典型微机械结构的制造 4.4.1 喷墨嘴 利用硅的各向异性腐蚀技术可以在晶片上刻蚀出小孔。 这些晶片上的孔洞具有很多潜在的应用，其中最简单，也最具有商业价值的是制造喷墨打印机的喷嘴，如图 4 - 33(a)所示。通过调节工艺参数，可使(100)硅片上的金字塔形孔贯穿整个晶片，晶片底面的方孔作为油墨的出射窗口，窗口的尺寸由晶片厚度t、掩模尺寸L决定： (4-23) 图 4 - 33 制造打印头喷墨嘴的几种方法 实际制造过程中， 窗口的尺寸很难精确控制， 其原因是： (1) 晶片厚度t很难精确控制。 (2) 掩模与晶向间微小的角度失配， 使掩模的有效尺寸L大于掩模实际尺寸，造成底部喷墨喷口的扩大。这种角度失配可以通过采用直径L的圆形掩模来防止。 根据前面所述的各向异性刻蚀的基本原理， 直径为L的圆形掩模其作用等效于一个直径L×L的方形掩模。 图 4 - 34 硅基打印喷头结构框图 4.4.2 气相色谱仪 集成气相色谱仪是硅微机械技术的另一个重要应用。集成气相色谱仪采用光刻技术和硅腐蚀技术将 1.5 m长的毛细管、气体控制阀和探测仪集成制造在 2 英寸硅片上。利用各向同性腐蚀技术在硅片表面腐蚀出 1.5 m长，200 μm宽，40 μm深的弧形槽，将硅片与一个平板玻璃静电封接在一起。静电封接应使槽间密封，这样， 槽与玻璃平板就形成了一个长1.5 m的毛细管， 作为色谱仪的气体分离器。气体输入控制阀也制造在硅片上， 并且与毛细管一端相连。 图 4 – 35 集成气相色谱仪 4.4.3 微型冷却器 图 4-36 是利用硅各向异性腐蚀和静电封接技术制造的微型焦耳—汤姆逊微型冷却器示意图。硅片上刻蚀有气体压缩集流腔、 滤膜、热交换器、 焦耳—汤姆逊节流喷孔、液体收集器。在液体收集器附近区域，管道中的气体进入液体收集腔时突然膨胀， 造成温度下降。 这种焦耳—汤姆逊微型冷却系统在温度为 77 K左右时， 热容量约为 1~100 mW，冷却速率在数秒量级。这些传输管道不仅要承受重复的冷热变化，还要能承受住同时存在的巨大气压差(8×106 Pa)， 单晶硅有很高的强度， 能够作此类应用。硅/玻璃键合具有很高的强度，但在封接时应考虑到二者热膨胀系数的匹配，硅材料在这种结构中的不足之处是它的热传导系数较高，限制了从入口到液体收集室间的温度梯度。 利用SDB(Silicon Wafer Direct Bonding)方法，可获得与本体硅同样质量的硅膜，具有缺陷少、界面态低、工艺简单等优点， 是另一种制作大面积SOI晶片的方法。 SDB键合主要依靠氧化了的硅片表面具有很强的亲水性，在一定温度下，硅片重合的界面上，氢键的作用是使表面吸附的OH-聚合分解成水和硅的氧化物，在高温下依靠硅的塑性变形而形成一体。具体方法是将硅片在湿氧中氧化得到所需要的SiO2膜厚度，放入硫酸加双氧水溶液中处