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4H—SiC MESFET特性对比及仿真 侯斌，邢鼎，张战国，臧继超，马磊 (航天科技集团九院七七一研究所，陕西西安710000) MESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹 摘要：通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H—SiC MESFET的结构及其特征参数E‰，通过仿真对比 栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后，引出了坡形栅4H—SiC 了坡形栅4H—SiC V的条件下达到了545mA；当EP∞为l／4栅、3／4栅和全栅时， V、V璐=40 时，最大饱和漏电流取得最大值，在yc=0 最大饱和漏电流均不如EPcc为1，2栅时取得的最大值。 关键词：仿真；4H—SiCMESFET；阶梯栅；坡形栅 中图分类号：TN386．2 文献标识码：A 中文引用格式：侯斌，邢鼎，张战国，