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基于MOCVD再生长b+GaN欧姆接触工艺fTffmax＞150%2f2器件.pdfVIP

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  • 2017-05-09 发布于湖北
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基于MOCVD再生长b+GaN欧姆接触工艺fTffmax＞150%2f2器件.pdf

    基于MOCVD再生长bGaN欧姆接触工艺fTffmax＞150/2器件

    第35卷第5期 红外与毫米波学报 Vol_35．No．5 2016年10月 J．InfraredMillim．Waves October，2016 文章编号：1001—9014(2016)05—0534—05 jt GHzAIGaN／GaNHFETs q一150／210 with n+-GaNOhmiccontactsMOCVD regrown by LV FENG SONG ZHANG Xin， Yuan-Jie， Zhi—Hong4， Xu—Bo， Zhi-Rong，TAN FANG CAI

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