基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍.pdfVIP

第33卷第3期 红外与毫米波学报 V01．33，No．3 2014年6月 J．InfraredMillim．Waves June，2014 ： ：：：： = = 文章编号：1001—9014(2014)03—0256—07 基于NEDI砷化镓肖特基二极管的 D波段和G波段倍频源 姚常飞1，-， 周 明2， 罗运生2， 林罡1， 李姣2， 许从海2， 寇亚男2， 吴 刚2， 王继财2 (I．南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，江苏南京210016； 2．南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部，江苏南京210016) 摘要：基于南京电子器件研究所(NEDI)的Gahs工艺线，通过分析器件的有源层(缓冲层、外延层)材料掺杂浓度和