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80C51的结构与原理

80C51单片机的特殊功能寄存器(SFR) 99H SBUF 89H TMOD 8AH TL0 8BH TL1 8CH TH0 8DH TH1 SP DPL DPH PCON B ACC PSW T2CON IP P3 IE P2 SCON P1 TCON P0 F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F0H E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E0H D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D0H C8 C9 CA CB CC CD CE CF C8H B8 B9 BA BB BC BD - - B8H B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B0H A8 A9 AA AB AC AD - AF A8H A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A0H 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F 98H 90 91 92 93 94 95 96 97 90H 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F 88H 80 81 82 83 84 85 86 87 80H D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 位地址 字节地址 2.4 80C51的并行口结构与操作 2.4.1 P0口、P2口的结构 一、 P0口的结构 当系统不进行片外的ROM扩展,也不进行片外RAM扩展时,P0用作通用I/O口。 输出时,需外接上拉电阻。 输入时,读锁存器时,直接读取(ANL P0,A) 读引脚时,要先向端口送‘1’,然后再读。 MOV A,P0 P0用作通用I/O口--准双向口 P0用作地址/数据总线 当系统进行片外的ROM扩展或RAM扩展时,P0用作地址/数据总线。 CPU在执行输入/输出指令时,低8位地址信息和数据信息分时地出现在地址/数据总线上。输出时,把数据信息送到P0.X引脚上,输入时,把外部数据送到内部总线上。 P0口作为地址/数据总线使用时是一个真正的双向口。 二、 P2口的结构 1、 P2用作通用I/O口 输出时,直接输出,不需上拉电阻。 当不在单片机芯片外部扩展程序存储器,或只扩展256B的片外RAM时,P2口仍可以作为通用I/O口使用。 输入时,和P0口一样。 P2口在作为通用I/O口时,属于准双向口。 2、P2用作地址总线 当需要在单片机芯片外部扩展程序存储器或扩展的RAM容量超过256字节时,单片机内硬件自动连接地址线,这时P2.X引脚的状态正好与地址线的高8位信息相同。 2.4.2 P1口、P3口的结构 一、 P1口的结构 P1口是通用的准双向I/O口,输入输出时和P0、P2口一样 P1口由一个输出锁存器、两个三态输入缓冲器和输出驱动电路组成。输出驱动电路与P2口相同,内部设有上拉电阻。 二、 P3口的结构 1、P3用作第一功能(通用I/O口) P3口作为通用I/O口时,属于准双向口。其操作与P0、P1、P2完全相同。 2、P3用作第二功能使用 当CPU不对P3口进行字节或位寻址时,内部硬件自动将口锁存器的Q端置1。这时,P3口作为第二功能使用。 P3.0 :RXD(串行口输入); P3.1 :TXD(串行口输出); P3.2 : 外部中断0输入; P3.3 : 外部中断1输入; P3.4 :T0(定时器0的外部输入); P3.5 :T1(定时器1的外部输出); P3.6 : (片外数据存储器“写”选通控制输出); P3.7 : (片外数据存储器“读”选通控制输出)。 2.4.3 并行口的负载能力 P0、P1、P2、P3口的电平与CMOS和TTL电平兼容。 P0口的每一位口线可以驱动8个LSTTL负载。在作为通用 I/O口时,由于输出驱动电路是开漏方式,由集电极开路(OC门)电路或漏极开路电路驱动时需外接上拉电阻;当作为地址/数据总线使用时,口线输出不是开漏的,无须外接上拉电阻。 P1、P2、P3口的每一位能驱动4个LSTTL负载。它们的输出驱动电路设有内部上拉电阻,所以可以方便地由集电极开路(OC门)电路或漏极开路电路所驱动,而无须外接上拉电阻。 由于单片机口线仅能提供几毫安的电流,当作为输出驱动一般的晶体管的基极时,应在口与晶体管的基极之间串接限流电阻。 思考题与习题(3,4,6,9) 1、80C51在功能、工艺、程序存储器的配置上有哪些种类? 2、80C51的存储器组织采用何种结构?存储器地址空间如何划分?各地址空间的地址范围和容量如何?在使用上有何特点? 3、80C51的P0~P3口在结构上有何不同?在使用上有何特点? 4、80C51晶振频率为12MHz,时钟周期、机器周期为多少? 5

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