电子技术基础剖析.pptx

电子技术就是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。;第一代电子器件;第二代电子器件——晶体管;2．电子电路;(3) 电子电路必须采用非线性电路的分析方法来分析;分立电路 —— 由各种单个的电子器件和元件构成的电路;集成电路（IC—integrated circuit）—— 把许多晶体管与电阻等元件制作在同一块硅晶片上的电路;世界上第一块集成电路在1959年美国的德州仪器公司和西屋电气公司诞生，电路上仅集成了4只晶体管。;集成电路根据物理器件划分为：;3．电子技术应用; (3) 测量方面的应用;一 、 模拟电子技术;半导体的基本知识;自然界物质按导电能力分类：;常用的半导体材料有：;自由电子和空穴;本征半导体中有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴又可能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自由电子和空穴维持一定的浓度。;空穴运动;本征半导体的特性;在纯净半导体中掺入某些微量杂质，其导电能力将大大增强。;P型半导体;无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。;杂质半导体虽然比本征半导体中的载流子数目要多得多，导电能力增强，但是也并不能象导体那样被用来传导电能，而是用来形成PN结;PN结的形成过程;将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结;PN结具有单向导电性线性电阻具有双向导电性;半导体二极管的结构;点接触型： 结面积小，结电容小 故结允许的电流小 最高工作频率高;理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。; 特殊二极管;稳压原理：当反向电压加到一定值时，反向电流急剧增加，产生反向击穿，电流在很大范围内变化时，只引起很小的电压变化。;光电二极管是有光照射时会产生电流的二极管。;LED显示器;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;双极型三极管的结构简介;半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 两个PN结把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。;NPN型;两个PN结,每个有正偏和反偏两种状态,组合起来,共有4种状态:;;;放大的实质：用较小的信号去控制较大的信号。;静态分析：确定IB、UBE、IC、UCE等静态工作点，决定放大电路的质量。 动态分析：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等。;放大电路的失真问题;射级输出器，又称共集电极放大电路。 特点：电压放大倍数接近1，电流放大倍数很大，输入电阻高，输出电阻低，输入输出同相位。 应用：多级放大电路（输入级、输出级或中间级），提高输入电阻，电流放大（提高输出功率）。 ;场效应管出现的历史背景;场效应管的用途;N沟道;集成运算放大器;集成电路;（1）有利于实现需要对称结构的电路。 （2）集成电路的芯片面积小，集成度高，所以功耗很小，在毫瓦以下。 （3）不易制造大电阻。需要大电阻时，往往使用有源负载。 （4）只能制作几十pF以下的小电容。因此，集成放大器都采用直接耦合方式。如需大电容，只能外接。 （5）不能制造电感，如需电感，也只能外接。 （6）一般无二极管，用三极管代替(B、C 极接在一起)。;集成运放的组成 ;集成运算放大电路的特点;多级放大电路的耦合方式;集成电路运算放大器的主要参数;集成电路运算放大器的主要参数;集成电路运算放大器的主要参数;?通用型 高输入阻抗型 高精度(低漂移型) 高速型和宽带型 低功耗型 ?高压型 ?功率型; 运算放大器图片; 运算放大器图片;反馈放大电路;放大电路 A;四种类型的放大电路;针对四种类型的放大电路分别引进四种类型的负反馈以改善交流指标;;2. 反馈深度的讨论;反馈对放大电路的影响;? 比例运算电路;直流稳压电源;特性指标 允许的输入电压 允许的输出电压 输出电流 输出电压调节范围 质量指标:衡量输出直流电压的稳定程度 稳压系数 输出电阻 温度系数 纹波电压:稳压电路输出端交流分量的有效值,毫伏数量级,表示输出电压的微小波动。;稳压电源类型;电源变压器: 将交流电网电压v1变为合适的交流电压v2。;稳压电路的作用:使直流电路在电网波动、负载变化、温度变化等因素影响下保证输出电压稳定。;单相小功率直流电压源一般 由四部分组成: 电源变压器