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2017-05-08 发布于广东
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BSIM3v3 模型介绍与萃取方法.pdf

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BSIM3v3 模型介紹與萃取方法作者：安捷倫科技股份有限公司 EEsof EDA 應用工程師 Jackson Hsu 許仲延 Email: jackson_hsu@ 目錄 (6) 短通道電容模型 (Short channel capacitance model) 一、簡介 • Junction Capacitance 二、BSIM3 模型包含的物理效應 • Extrinsic Capacitance (1) 臨界電壓 (Threshold Voltage) (7) 溫度與元件特性的相依性 (Temperature dependence of • 垂直與橫向非均勻載子濃度 the behavior) • 短通道效應 • Threshold Voltage • 窄通道效應 • Carrier Mobility (2) 載子遷移率 (Mobility) • Carrier Velocity Saturation • 垂直電場效應 • Saturation Current of Drain/Source-Bulk Diode (3) 汲極電流 (Drain Current) 三、利用 IC-CAP 萃取 BSIM3 模型的物理參數 • 載子速度飽合效應 (Carrier Velocity Saturation) 四、結論 • 基板電荷效應 (Bulk charge effect) • 次臨界傳導 (Sub-threshold Conduction) Appendix • 源極/汲極的寄生電阻 (Source/Drain Parasitic (1) 臨界電壓 Resistance) (2) 直流工作方程式 (4) 基板電流 (Bulk Current) (5) 輸出電阻 (Output Resistance) • Early Voltage • Channel Length Modulation (CLM) • Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) • Substrate Current Induced Body Effect (SCBE) 一、簡介 BSIM3(Berkeley Shor