氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响_胡汉军.pdfVIP

氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响_胡汉军.pdf

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氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响_胡汉军

: 109 * 胡汉军, 周万城, 李坊森, 罗 发, 朱冬梅, 徐 洁 ( , 710072)  : 以硅粉和氮化硅晶须为原料, 通过添加 , 。 , 30%( 量分数)成孔剂球形颗粒, 以聚乙烯醇作粘结 , , , 剂, 采用干压成型工艺, 反应烧结制备了多孔氮化硅陶 。 (4) 瓷, 分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶 30℃20min , , 瓷介电性能的影响。 实验结果表明, 随着氮化硅晶须 40MPa 70mm×5mm ;(5) 加入量的升高, 氮化硅多孔陶瓷的介电常数和介电损 200℃, 95%N2 +5% 耗都升高, 介电性能恶化。 H2 0.1MPa , : ;;; 0.3℃/min 1380℃, : TQ174 :A 。 :1001-9731(2009)01-0109-03 2.3  Archimede 。 OLYM- 1   P S PMG3 。 , (SEM, Model S-570, Hitach) , 。 22.86mm×10.16 , , mm×(2.0±0.1)mm , E8362B [1, 2] 。 , (:8.2~ 12.4GHz)。 , : 。 ε= ε′-j ε″ , ,   : , ε″ tan δ= [ 3~ 5] ε′ , 。 Si , (),   ε′。 , 60%, 3  , 800μm , 。 3.1  1 30%, 2   3。 2.1  1  Si ( 24μm, ≥99.95%( Table 1 Experiment prescription ));α-Si3N4 , ( 800μm, 编号 硅粉 氮化硅(%) );(PVA, 1000, 20%); 1 97 3 N2 (

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