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氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响_胡汉军
: 109
*
胡汉军, 周万城, 李坊森, 罗 发, 朱冬梅, 徐 洁
( , 710072)
: 以硅粉和氮化硅晶须为原料, 通过添加 , 。 ,
30%( 量分数)成孔剂球形颗粒, 以聚乙烯醇作粘结 , , ,
剂, 采用干压成型工艺, 反应烧结制备了多孔氮化硅陶 。 (4)
瓷, 分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶 30℃20min , ,
瓷介电性能的影响。 实验结果表明, 随着氮化硅晶须 40MPa 70mm×5mm ;(5)
加入量的升高, 氮化硅多孔陶瓷的介电常数和介电损 200℃, 95%N2 +5%
耗都升高, 介电性能恶化。 H2 0.1MPa ,
: ;;; 0.3℃/min 1380℃,
: TQ174 :A 。
:1001-9731(2009)01-0109-03 2.3
Archimede 。 OLYM-
1
P S PMG3 。
, (SEM, Model S-570, Hitach)
, 。 22.86mm×10.16
, , mm×(2.0±0.1)mm , E8362B
[1, 2]
。 , (:8.2~ 12.4GHz)。
, :
。 ε= ε′-j ε″
, , :
, ε″
tan δ=
[ 3~ 5] ε′
, 。 Si
, (), ε′。
, 60%, 3
, 800μm ,
。 3.1
1 30%,
2
3。
2.1 1
Si ( 24μm, ≥99.95%( Table 1 Experiment prescription
));α-Si3N4 , ( 800μm, 编号 硅粉 氮化硅(%)
);(PVA, 1000, 20%); 1 97 3
N2 (
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