【2017年整理】《模拟电路基捶 1027 第十五次课.pptVIP

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2017-05-09 发布于浙江
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【2017年整理】《模拟电路基捶 1027 第十五次课

Chap4 MOSFET及其放大电路;FET放大电路分析一般步骤;三基本组态→共源极/共漏极/共栅极放大电路;输出电压：;共源放大器的大信号动态范围分析;临界饱和线→;例4.10 电路如图4.22所示。已知VDD=10V，R1=70.9kΩ， R2=29.1kΩ ，RD=5kΩ 。场效应管参数VTN=1.5V， Kn=0.5mA/V2，λ=0.01V-1。设Rg=4kΩ 。求 Av、Ri和Ro;②交流性能指标的计算;讨论→;例4.11 电路如图所示。场效应管的参数为VTN=1V， Kn=1mA/V2，λ=0.015V-1。设Ri=R1//R2=100kΩ，设计电路参数使IDQ=2mA，且工作点位于放大区的中心。 ;根据设计要求，将工作点设置在放大区的中心，则: ;2. 也可计算放大器的交流小信号基本参数及源电压增益：;二. 含源极电阻的共源极放大器;小信号跨导为： ;讨论→源极电阻对电路的影响： ;三. 含源极旁路电容的共源极电路;VDSQVDS(sat)=VGSQ-VTN=0.71V，;4.4.2 源极跟随器;在源极输出端用KCL定理：;;共漏极电路小信号源电压增益为：;例4.14 电路如图所示。已知VDD=12V，R1=162kΩ，例4.16 R2=463kΩ，RS=0.75kΩ。场效应管参数VTN=1.5V， Kn=4mA/V2，λ=0.01V-1。设Rg=4kΩ。求Avs=vo/vs、Ri、Ro。;输入电阻为：;例4.15 电路如图所示。场效应管参数为VTN=1V ，λ=0 ， Kn=1mA/V2。电路参数为VDD=5V，Ri=300kΩ。（1）设计电路参数，使IDQ=1.7mA，VDSQ=3V；（2）求小信号电压增益Avs=vo/vs。;小信号跨导为：;4.4.3 共栅极放大器;2. 源电压增益;→通常，共栅极电路的输入信号是电流;例4.17 如图所以电路中，IQ=1mA，V+=5V，V- = -5V， RG=100kΩ，RD=4kΩ，RL=10kΩ。场效应管参数 VTN=1V，Kn=1mA/V2，λ=0。输入电流is=100sin(?t) μA，Rg=50kΩ。求vo。;三基本组态MOSFET放大器的特性;作业