N阱CMOS精选.pptVIP

10、三次光刻 除去P阱中有源区的氮化硅和二氧化硅层 电子束曝光，正胶 11、二次离子注入 调整阈值电压，注入B离子 12、栅极氧化 形成栅氧化层，厚度400 ?，干氧氧化1200℃，19.85min 13、多晶硅淀积 淀积多晶硅层，厚度5000 ? 低压化学气相淀积（LPCVD），630°C，100Pa，630℃，33.3min 多晶硅淀积 衬底P-Si N阱 14、四次光刻 形成NMOS多晶硅栅，并刻出NMOS有源区的扩散窗口 电子束曝光，正胶 光刻多晶硅，形成源漏掺杂窗口 衬底P-Si N阱 15、三次离子注入 形成NMOS有源区表面浓度1×1020cm-3，结深0.3μm注入P离子E=40kev~80kev，Q0=8.15×1016cm-2 用光刻胶保护PMOS源漏区，离子注入形成NMOS源漏区 衬底P-Si N阱 P+ N+ N+ 16、五次光刻 形成PMOS多晶硅栅，并刻出PMOS有源区的扩散窗口 电子束曝光，正胶 17、四次离子注入 形成PMOS有源区表面浓度1×1020cm-3，结深0.3μm注入B离子E=25kev~45kev，Q0=2.21×1017cm-2 用光刻胶保护NMOS源漏区，离子注入形成PMOS源漏区 衬底P-Si N阱 P+ P+ N+ N+ B+ 18、淀积磷硅玻璃 目的：保护 LPCVD T=600℃，t=10min 去胶，表面钝化淀积PS