基于muitisim的单级共射放大电路设计选编.docVIP

电子技术课程设计报告 题 目：基于muitisim的单级共射放大电 路设计 学生姓名： 学生学号： 年 级： 专 业： 班 级： 指导教师： 制 2015年3月 基于muitisim的单级共射放大电路设计 学生： 指导教师 1设计的任务，要求与目的 课程设计的任务 单级共射放大电路的设计 课程设计的要求 了解放大电路，共射放大电路和单级共射放大电路 1.3课程设计的目的 1.3.1学习单级共射电压放大器静态工作点的设置与调试方法。 1.3.2学习放大器的放大倍数（Au）、输入电阻（Ri） 、R）的 1.3.3观察基本放大电路参数对放大器的静态工作点、电压放大倍数及输 出波形的影响 2 单级共射放大电路设计方案制定 2.1单级共射放大电路设计的原理（设计所用的基础理论） 2.1.1三极管的放大原理 (1)发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。2)电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流IB，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。3)集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。 三极管的输入输出特性极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线。对硅管而言，当UCE超过1V时，集电结已经达到足够反偏，可把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。如果此时再大UCE，只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）IB也就基本不变。就是说，当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上重和的。由图）可见，和二极管的伏安特性一样，三极管的输入特性也有一段死区，只有当UBE大于死区电压时，三极管才会出现基极电流IB。通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。在正常工作情况下，NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V，PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～-0.3V。 图（1）三极管的输入特性曲线 图(2)三极管的输出特性曲线 三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时，集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区：放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区,IC＝IB×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区，发射结必须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使UBE0，UBC0。截止区：IB＝0的曲线以下的区域称为截止区。实际上，对NPN硅管而言，当UBE＜0.5V时即已开始截止，但是为了使三极管可靠截止，常使UBE≤0V，此时发射结和集电结均处于反向偏置。饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时IB的变化对IC的影响较小，放大区的?不再适用于饱和区。在饱和区，UCE＜UBE，发射结和集电结均处于正向偏置 a.交流电源 b.直流电源 c.滑动变阻器 d.三极管 e.电容串在输出端 图（3）电源及主要元器件介绍 3.2 单级共射放大电路参数计算及元器件选择 3.2.1电路参数 直流电流放大系数：β=ICQ/IBQ=ICQ/IEQ 静态工作点：IEQ=VEQ/(R5+R6)； ICQ=(VCC-VCQ)/R4； UBEQ=UBQ-UEQ； UCEQ=UCQ-UEQ； 电压放大系数：Av=vo/vi； 输入电阻：Ri=vi/ii； 3.2.2元器件选择 交流电压源 直流电压源 三极管 电阻，可变电阻 电容 3.3 单级共射放大电路系统整体电路图 图（4）单机共射放大电路图 3.4 元器件清单(型号及主要参数) 交流电压源：30mV，50HZ； 直流电压源：12V； 三极