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Company Confidential ZASTRON ELECTRONIC (SHENZHEN) COMPANY Ltd. 世成电子（深圳）有限公司 DES工艺流程 制作：陈友坤/苟清泉 版本：A0 D — Developing —显影 E — Etching —蚀刻 S — Stripping —去膜 DES名词解释： 工艺作用： 经过压膜曝光后的线路板，在此工站形成客户所需的线路；完成的线路起到导线的作用。 显影（Developing) 目的： 干膜经过UV照射后会发了聚合反应（化学反应），碳酸钠溶液（弱碱）会溶解未被UV照射的干膜，而不能溶解发了聚合反应的干膜，从而保护住了将来的线路。 反应式： 来自Na2co3 干膜基团 显影操作参数： 显影液浓度：1.0±0.2% 显影温度：30±2℃ 显影喷压：1.0~2.0㎏/c㎡（上压一般大于下压） **以上参数会因客户使用之干膜品牌、种类与厚度…的不同而有些差异 图像解释： 被曝光的干膜 未曝光的干膜，将被显影掉 铜 显影点： 显影点一般控制在50-70% 测试方法：测试板一片接着一片投入显影机,板与板之间不留间隙，当第一片板子前端抵达显象机出料端时,将显影机之喷洒泵，摆动关闭,但不停止传动输送.使板子仍旧依序水洗,送出. 将取出的板子依度排列,检视其上光阻剂的显象情形,可见到如下图形: 计算公式： （L-L2）/L*100% 蚀刻（Etching) 目的： 被显影掉部分露出铜，铜与蚀刻液发现反应，将铜蚀刻掉，露出基材，被干膜保护部分无法与蚀刻液正面反应，留下的就是将来的线路。 反应式： 注意： 当双氧水(H2O2 )添加过量或双氧水与盐酸添加口过于接近时,双氧水将会与盐酸反应生成氯气(Cl2),氯气为浅黄录色气体,有毒且对人体呼吸器官有强烈刺激性; 故须加以适当控制.(双氧水与盐酸添加口须保持一定距离(1M以上),且注意应分散添加)。 蚀刻操作参数： 图像解释： CuCl2比重：1.26~1.30 H2O2与HCL浓度:35%. 蚀刻温度：50±2℃ 蚀刻喷压：1.0~3.0㎏/c㎡（上压一般大于下压） **以上参数会因干膜厚度，铜厚度的不同而有些差异 蚀刻因子： 去膜（Stripping) 目的： 线路板经过蚀刻后，必须将保留在线路上面的干膜溶解掉，使线路完全露出。 利用强碱NaOH 将膜成份破坏，利用压力去除。 去膜操作参数： NaOH浓度: 3.0±0.5% 去膜温度：50±2℃ 去膜喷压：1.0~3.0㎏/c㎡（上压一般大于下压） **以上参数会因干膜厚度的不同而有些差异 图像解释：