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绪论硅晶体结构，最密原子面、最优解理面答：结构：立方晶系，两个面心立点阵的嵌套：每个原子贡献出四个价电子与周围的四个碳原子共有，形成四个共价键，构成正四面体。一个碳原子在中心，与它共价的四个碳原子在四个顶角上，其配位数为4最密原子面：（111）面是最密原子面、最优解理面。硅熔点：14203.金属硅制备方法（99.8%）、高纯硅制备方法（8个9）、单晶硅制备方法。答：①金属硅的制备：从矿石(SiO2)中将硅还原出来的过程。纯度：~ 99.7%-99.8%在电弧炉中用C还原SiO2，方程式： SiO2+2C 电弧炉 Si+2CO②高纯硅的制备：将金属硅进一步提纯，达到最佳纯度。纯度：99.999999%，即8个9以上。1）改良西门子法：主：Si(粉)+3HCl(气，220℃) →SiHCl3(气)+H2(气) ↑副： Si(粉)+4HCl(气) →SiCl4(气)+2H2(气) ↑ 2）进一步提纯： SiHCl3(气)+H2(气，1100℃) →Si (固)+ 3HCl(气) ↑③高纯硅的制备方法：将金属硅进一步提纯，达到最佳纯度。纯度：99.999999%，即8个9以上。1）改良西门子法：主：Si(粉)+3HCl(气，220℃) →SiHCl3(气)+H2(气) ↑副： Si(粉)+4HCl(气) →SiCl4(气)+2H2(气) ↑ 2）进一步提纯： SiHCl3(气)+H2(气，1100℃) →Si (固)+ 3HCl(气)4.单晶的两种生长方法各自的优点、缺点答：直拉法（CZ）区熔法（FZ）直拉法的优点：设备和工艺比较简单，易于实现自动控制；生产效率高，易于制备大直径单晶；容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低阻单晶。直拉法的不足：原料易被坩埚污染，使得硅单晶纯度降低，拉制的硅单晶电阻率不可能太高。竖直生长，籽晶需要承担自重。FZ法的优点：不需要坩埚，避免了污染源，可以获得更高纯度的单晶。如悬浮区熔法可以生长高电阻率的硅单晶，适用于制作大功率器件。FZ法的不足：熔体部分的表面张力需要承受单晶硅棒的重量，所以生长的硅棒大小受到限制，无法长出较大的硅棒。5.多晶硅制备方法答：定向凝固法、电磁铸造法6.硅片的主副参考面，主要作用。答：硅片的参考面：在硅片边缘制作的小平面。参考面的作用：主参考面给出最佳划片方位，即解理面副参考面区分硅片的型号和晶向7.最常见的两种晶向的硅片答：{111}、{100}晶体滚磨与开方1,滚磨开方的目的和意义答：滚磨：采用砂轮，将硅锭的外侧打磨成规则圆柱体的过程开方：将大块的硅锭，切割成所需要的长方体或者棱柱体。获得小尺寸可加工的棒。2.加工对像及如何加工。答：不同用途硅片的工艺过程：IC（电路级）单晶硅锭：外径滚磨，制作参考面2）光伏单晶硅：外径滚磨，开方3）太阳能级多晶铸锭：开方3.磨削的两种方式答：固定磨粒加工、游离磨粒加工4.滚磨开方的主要设备滚磨设备：单晶切方滚磨机（金刚石砂轮）单晶切方滚磨机、(金刚石)带锯、(金刚石)线锯等定向切割1.切割方法：内圆切割、外圆切割、多线切割2.切片的主流设备，切割的原理多线切割（钢线）：光伏行业主流切片工艺原理：在机器导线轮带动下，光滑的钢线做高速运动，并对线网喷涂研磨砂浆，高速运动的钢线将砂浆带到钢线和硅棒的接触面上，从而实现线网和工件发生相对摩擦，而完成对材料的切割过程。3.切割砂浆的组成，主要作用答：主要组成：切割液：4分子聚乙二醇(PEG)—粘稠油状液体作用：负载磨粒，形成悬浮液磨粒：SiC颗粒——8～10um；作用：研磨乙二醇：HO—CH2-CH2—OH聚乙二醇： HO-CH2— (CH2-O-CH2)3—CH2-OH4.多线切割的主要优点答：①可以同时进行两个方向的切割，效率更高。②表面粗糙度更小，损伤层更薄，（和带锯等手段相比）。. ③可以同时进行多根硅锭的切割。5.多线切割的硅片厚度、哪个参数决定答：厚度（T）：在硅片上某一点处，垂直穿过硅片的距离。硅片中心点的厚度为标称厚度，即通常指的硅片厚度6.定向方法答：①选用单色X射线进行照射。②固定X射线入射方向。③依据待切割的晶向，固定出射束测量方向，即固定待确定的晶面的入射角θ。④沿衍射方向，缓慢旋转晶体，并记录出射线强度变化，出射强度最强时，即需要确定的方向。1)光线入射是K方向，探测是K’，二者夹角是2θ2)也可以固定入射方向和晶体，调整测量方向，寻找衍射极大方向。7.名词：弯曲、翘曲、总厚度变化答：弯曲度(BOW)：是硅片中线面凹凸形变的量度，指最大变形量。翘曲度(WARP)：是硅片中线面与一基准平面偏离的量度，即硅片中线面与一基准平面之间的最大距离与最小距离的差值总厚度变化（TTV）：硅片上各点最大厚度与最小厚度之差。即：TTV=Tmax-Tmin倒角研磨热处理倒角、研磨