锡氧化物在光催化中的应用研究.pdfVIP

第43卷第 1期 应 用 化 工 Vo1．43No．1 2014年 1月 AppfiedChemicalIndustry Jan．2014 驴 痧 驴 -驴 驴 q 8专论与综述8 眵驴 痧 驴 舻 驴 ) 锡氧化物在光催化中的应用研究 彭雯洁，孙懂山，田蒙奎 (贵州大学化学工程学院，贵州 贵阳 550003) 摘 要：综述了锡氧化物在光催化领域中的研究应用现状，特别是纳米级的可见光响应锡氧化物在光催化降解、光 催化／光电化学分解水方面的研究。 关键词：光催化；光催化剂 ；锡氧化物 中图分类号：TQ032 文献标识码：A 文章编号：1671—3206(2014)01—0134—03 Research on theapplication oftin oxideinphotocatalysis PENGWen-fie，SUNDong—shan，TIANMeng—kui (CollegeofChemicalEngineering，GuizhouUniversity，Guiyang550003，China) Abstract：Reviewstheapplication statusoftinoxideinfieldofphotocatalyst，especiallydemonstratesthe researchofphotocatalyticactivityofdecomposition，photocatalyticandphotoelectrochemicalwatersplitting ofnanoscalevisible—light—driventinoxide． Keywords：photocatalytic；photocatalysts；tinoxide SnO：是一种具有正四面体金红石结构的宽带 率可达 lO～一l0I4Q ·am时，SnO2转变为导体 J。 隙n型半导体，广泛应用于透明导电玻璃、气体传感 Xuan等 利用第一原理法，对 F掺杂SnO 的电荷 等领域。近年来，有关SnO在光催化领域的研究应 密度、价键结构、能态密度、载体有效数量进行了计 用越来越受关注，特别是纳米结构的可见光响应锡 算，得出其带宽是2．2eV。尽管在引人F杂质后价 氧化物。本文从氟掺杂／铟掺杂氧化锡(FTO／ITO)、 键电子的能量减少了，但结构显示电荷密度分布没 SnO：／SnO、SnO：纳米结构及纳米复合结构等几个方 有明显改变。 面论述了锡氧化物在光催化领域中的研究应用现 在玻璃基体上，Shewale等 通过溅射热解技术 状。 在低温下制备得到F掺杂的SnO：薄膜。XRD研究 1 FT0I／ITO 发现所有的薄膜都是多晶相。在613K下的沉积薄 膜表现出最低的薄层电阻(17．82Q)和500nm时 在掺了F之后，SnO：薄膜(FTO)具有对可见光 75％的光学透射率。霍尔效应测量显示，薄膜被深 透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳 度掺杂，退化为一种n型导电性半导体。 定以及室温下抗酸碱能力强等优点。广泛用于液晶 ITO薄膜 (铟掺杂锡氧化物)是一种透明导电 显示屏、光催化、薄膜太阳能电池基底、染料敏化太 膜，具有禁带宽、可见光