2-4场效应管及放大电路选编.ppt

2.4.1 场效应管的结构、类型 N沟道 1. N沟道增强型MOSFET (1) 结构与符号 (2) 工作原理 vGS=0时，没有感生沟道，两个PN结背靠背，无论vDS为正为负，均没有iD电 流产生。 在绝缘层中形成的强电场吸引P型衬底中的电子，使其在靠近表面处形成N型薄层，称反型层，由于它是栅极正电压感应产生的，又称感生沟道。 若vDS较小，漏极电流iD随vDS的上升接近线性增加； 当vDS增大到一定数值，感生沟道在靠近漏端被夹断, iD趋于饱和 (3) 特性曲线 2. N沟道耗尽型MOSFET 由于事先在SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，所以当vGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，在漏源之间形成了导电沟道。于是只要有漏源电压，就有漏极电流存在。 5. FET和BJT的比较 FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件；FET放大电路的放大倍数低。 FET中导电载流子只有一种(单极型器件)，而BJT中同时存在两种(双极型器件)，所以FET有较好的温度稳定性和低噪声性能。 FET无栅极电流，输入电阻大；BJT输入端PN结正偏，输入电流大，输入电阻小。 FET使用时d极、s极可以互换；而BJT的c极、e极不可以互换。 FET制造工艺简单，芯片占用面积小，更适于在集成电路中使用。 MOS管栅极绝缘且绝缘层很薄，所以较小的感生电压能产生很高的电场，易使绝缘层击穿。为保护管子，存放MOS管时应将各电极短接；焊接时电烙铁应有良好的地接触(或断电焊接)，并注意对交流电场的屏蔽。 3.8 场效应管放大电路 FET和BJT一样，工作时要有合适的静态工作点。根据FET的输出特性，电路应给FET提供合适的VGS和VDS才会有合适的静态工作点。 3.8.1 FET放大电路的静态分析 直流偏压VGS不是靠电压源提供，而是由源极电阻R上的直流压降提供，称为自偏压电路。 该电路只适用于耗尽型FET，而且静态工作点调节不方便。 分压器式自偏压电路 2. FET放大电路的动态分析 (1) FET的交流小信号模型 小信号模型的简化 (2) 用小信号模型分析FET放大电路 (a) 共源放大电路 共源电路属于反相(倒相)电压放大器，其增益较大，输入电阻较高，输出电阻由Rd决定 3.10 放大电路的主要性能指标 增益 输入电阻 输出电阻 非线性失真 带宽和最大输出功率 增 益 输 入 电 阻 输入电阻是从放大电路的输入端看进去的交流等效电阻。 输 出 电 阻 输出电阻是放大电路在断开负载后，从输出端看进去的等效交流电阻。 * * 2.4 场效应管 场效应管是利用输入电压在管内所产生的电场效应，来控制其输出电流，是电压控制器件。它只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故又称为单极型晶体管。 场效应管(简写成FET)是另一种半导体器件。 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道场效应管的结构示意图 N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号 N沟道耗尽型MOSFET 的结构示意图和符号 MOS管有N沟道和P沟道之分，每一类沟道又有增强型和耗尽型之分。 增强型是指vGS＝0时不存在导电沟道没有iD电流； 耗尽型是指vGS＝0时，存在导电沟道，有iD电流； 2.4.2 场效应管的工作原理 反形层(感生沟道)构成了电子的导电通道。反型层的厚薄(对应沟道电阻的低和高)受vGS控制。 vGS0 、vDS =0时： 外加一定的正向vDS，开始出现漏极电流iD的栅源电压vGS，称为开启电压VT 。 vGS ?VT 、vDS 0时： 此后vDS继续上升，iD保持不变 如果vDS过大会导致漏端PN结反向击穿，iD急剧上升。 N沟道增强型MOSFET、P沟道增强型MOSFET 耗尽型MOS管的特点：栅源电压为正、为负 或为零均能工作。 IDSS :饱和漏极电流（VGS 为0时的漏极电流） VP :夹断电压（漏极电流为0是的VGS） N沟道耗尽型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET FET放大电路有共源、共漏、共栅3种组态。 1. FET的直流偏置电路及静态分析 (1) 自偏压电路 对FET进行静态分析时，将栅极g和沟道之间视为断路处理 耗尽型、增强型FET均适用；而且静态工作点可通过调节Rg1、 Rg2和R确定，比较方便 rgs：栅极和源极间的电阻，极大，常作开路处理 rd：交流输出电阻，比较大，常作开路处理 gm：低频互导(跨导) 注意： 输入电阻、输出电阻、增益通常都是在正弦输入信号下的交流参数，只有在放大电路处于放大状态且输出不失真的条件下才有意义。 返回 返回 负载开路输出电