信息功能陶瓷材料及应用12节.pptVIP

（1）铁电介质陶瓷 以BaTiO3或PbTiO3基固溶体为主晶相的铁电陶瓷，是制造低频陶瓷电容器的重要介质材料。主要用于制造Ⅱ类瓷介电容器。 铁电晶体中存在许多自发极化方向不相同的小区域，每个小区域由很多自发极化方向相同的晶胞构成，这样的小区域称为“电畴”，具有这种电畴结构的晶体称为铁电晶体或铁电体。 BaTiO3晶体或BaTiO3基固熔体是BaTiO3基铁电陶瓷介质的主晶相，是BaTiO3基铁电陶瓷介质性能的决定因素。 铁电体最显著的特征，或者说宏观的表现就具有电滞回线。此外，铁电体一般还会发生电致伸缩现象。 纯的BaTiO3介电系数很大，居里温度120℃，介电系数的温度稳定性差。同时介电系数的峰值在居里温度附近，未处在应用的温度范围内，为改进介电陶瓷的性能，需要进行置换改性和掺杂改性。 置换改性是指用电价相同，离子半径和极化性能相近的离子能大量溶解到BaTiO3中与相应离子进行置换，形成BaTiO3基固溶体，使陶瓷性能得到改善的一种方法。 掺杂改性是指那些离子半径相差较大或电价不同等原因，在BaTiO3中固溶极限很小，却能使BaTiO3基陶瓷性能发生显著变化的方法。 （2）半导体电介质陶瓷 铁电陶瓷主要用于制作小型大容量电容器、高压电容器、低变化率电容器等等。 是适应电容器微小型化的需要而发展起来的陶瓷介质材料。主要用于制造Ⅲ类瓷介电容器。以BaTiO3陶瓷的半导体化为例，通过加入不同的杂质、改变化学计量偏离率、改变烧成及冷却条件，可显著的降低其电阻率。 根据半导体陶瓷介质的特性，可分为阻挡层型、还原再氧化层型和晶界层型三种结构形式。 阻挡层陶瓷电容器是利用金属电极与半导体陶瓷的表面形成很薄的接触势垒层作为介质层。还原再氧化层型则是利用在半导体陶瓷的表面上通过适当的氧化形成0.01～100μm的绝缘层作为介质层。这两种都属于表面层型。通过有效的减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器的有效途径。 晶界层陶瓷电容器是在晶粒生长比较充分的半导体陶瓷表面涂覆CuO、MnO2、Bi2O3等金属氧化物，在适当温度和氧化条件下进行热处理，涂覆的氧化物沿开口气孔和晶界迅速扩散渗透到陶瓷内部，在晶界上形成薄薄的绝缘层。每两个小晶粒与很薄的晶界层介质就构成一个电容器。整个电容器相当于很多小电容器互相并联和串联，使整个陶瓷宏观显示的介电常数非常高。 （3）高频介质陶瓷 主要用于制造Ⅰ类瓷介电容器，其特点是介电常数一般为12～900，介质损耗小，介电系数温度系数的范围宽。高频陶瓷电容器常用于振荡回路中，利用该电容器的电容温度系数来补偿电路中电感等元件的温度系数，使电路的工作状态稳定。其介电常数通常与温度呈线性关系。代表材料有金红石陶瓷、钛酸钙陶瓷、钛酸镁陶瓷等等。 （4）微波介质陶瓷 具有介电常数适中、微波损耗低、频率温度系数小等性能，是制作微波元器件的关键材料。如介质谐振器、介质微波滤波器和谐振器、介质波导、天线、微波集成电路基片等等。 微波介质陶瓷包括Ba0-Ln2O3-TiO2(BLT)、钙钛矿型、（Zr，Sn）TiO4系、Ba0-TiO2系等多种材料体系，各自有其优缺点和适用领域，并且都能通过离子取代或掺杂在一定范围内改变材料的微波介电性能。 * * 信息材料基础－ 信息功能陶瓷材料及应用 苏 桦 参考资料： 《信息材料》, 甘福熹, 天津大学出版社 《现代陶瓷材料及技术》, 华东理工大学出版社 信息材料－ 是为实现信息探测、传输、存储、显示和处理等功能而使用的材料。 按材料功能分类－ 1、信息探测材料： 对电、磁、光、声、热辐射、压力变化或化学物质敏感的材料。可用来制成传感器，用于各种探测系统，如电磁敏感材料、光敏材料、压电材料等 信息就是用符号、信号或消息所包含的内容，来消除客观事物认识的不确定性。 2、信息传输材料： 主要用于对电子信息的传输，如光纤、电缆等等。 3、信息存储材料： 包括磁存储材料、光存储材料、磁光存储材料、相变存储材料、铁电介质存储材料、半导体动态存储材料等等。 4、信息处理材料： 包括对各种电子信息的处理、加工以及转换，使其发挥相应功能的材料。 1、半导体信息材料： 如微电子技术中大量采用的硅基材料；以激光器为例的半导体光电材料等等。 2、信息功能陶瓷材料： 如磁性陶瓷、介电/压电陶瓷、微波介电陶瓷、电子封装陶瓷等等。 3、有机信息材料： 如有机光电子材料、有机介电材料、有机相变存储材料等等。 4、信息薄膜材料：…… 按材料种类分类－ 以上只是一个大概的分类、实际上不少信息材料之间相互交叉，难以划分。同时，新的信息功能材料也在不断的涌现