MSP430Flash读写操作小结.docVIP

MSP430X14X Flash 读写操作总结 开发平台：IAR Embedded Workbench、MSP430F149开发板 作者：谭贝贝 Flash简介 Flash分为主存储区和信息存储区，主存储区有8个512byte的片段，信息存储区有两个128byte的片段。Flash默认为读取模式。在对Flash进行编程或者擦除时不允许读写，如果需要CPU在这期间进行操作，可以把代码段放在RAM中进行。 Flash操作注意事项 在读写的过程中电压不能小于2.7V否则擦除和读写的结果将不可预测。Flash的可操作时钟频率为~257KHZ---~476KHZ。如果频率不符合要求，则结果不可预测。 在擦除先需要关闭中断和看门狗，在擦除的过程中如果产生了中断，则会在重新使能中断后产生一个中断请求。Flash只能从1写为0，不能从从0写为1，所以需要擦除。 可以被擦除的最小模块是片段，tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase = 4819/fFTG。 Flash ERASE MSP430X14X的擦除模式可以从Flash或者RAM中进行。 从Flash中擦除 从Flash中擦除的过程中所有的定时都会被Flash控制，CPU被挂起。擦除完成后需要一个假写入CPU才能复位。从Flash擦除时有可能把后面CPU需要执行的代码擦除。如果发生这样的