2—双极型晶体管及其放大电路1.pptVIP

第2章双极型晶体管及其放大电路 作 业 * 双极型晶体管又称为半导体三极管、晶体三极管，简称晶体管。是电子电路主要的有源器件，可用来放大、振荡、调制等。 e c b 发射极 基极 集电极 发射结(Je) 集电结(Jc) 基区 发射区 集电区 N P N c b e NPN PNP c b e (a) NPN管的原理结构示意图 (b) 电路符号 2-1 双极型晶体管的工作原理 base collector emitter (c)平面管结构剖面图 图2-1 晶体管的结构与符号 3.双极型晶体管的结构特点： ①发射区相对于基区重掺杂 ②基区薄(几个～几十个微米) ③集电结的面积大 一、 放大状态下晶体管中载流子的传输过程 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I BN I EP I EN I CN 图2―2 晶体管内载流子的运动和各极电流 晶体管处于放大状态的偏置条件：发射结正偏、集电结反偏 2-1 双极型晶体管的工作原理 c b e NPN 二、发射区的作用：向基区注入电子 三、基区的作用：传送和控制电子 四、集电区的作用：收集电子 说 明 一、晶体管处于放大状态的偏置条件：发射结正偏、集电结反偏 二、电流分配关系 b c e IB IC IE c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I BN I EP I EN I CN 2-1 双极型晶体管的工作原理 直流电流放大系数： 一般 共射极 含义：基区每复合一个电子，就有β个电子扩散到集电区去。 二、电流分配关系 2-1 双极型晶体管的工作原理 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO b I BN I EN I CN 共基极 一般 两者关系： 二、电流分配关系 2-1 双极型晶体管的工作原理 c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO b I BN I EN I CN IC、 IE、 IB、三者关系： c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I BN I EP I EN I CN 若忽略 ICBO , 则 2-2 晶体管伏安特性曲线及参数 全面描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。 图2―3晶体管的三种基本接法（组态） ( a ) c e b i B i C 输出 回路 输入 回路 ( b ) e c b i B i E c e i E i C b ( c ) (a)共发射极 (b)共集电极 (c)共基极 2-2-1 共射极输出特性曲线 共发射极输出特性曲线：输出电流iC与输出电压uCE的关系曲线(以iB为参变量) 2-2 晶体管伏安特性曲线及参数 图2―5 共射极输出特性曲线 1. 放大区 2. 饱和区 3. 截止区 1. 放大区 发射结正偏， 集电结反偏 （2）uCE 变化对 IC 的影响很小（恒流特性） （1）iB 对iC 的控制作用很强。 用交流电流放大倍数来描述： 在数值上近似等于?β 即IC主要由IB决定 基区宽度调制效应(厄尔利效应) c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I BN I EP I EN I CN uCE↑ → c结反向电压↑ → c结宽度↑ → 基区宽度↓ → 基区中电子与空穴复合的机会↓ iC ↑ → 基调效应表明：输出交流电阻rCE=ΔuCE/ΔiC∞ Q UCEQ UA(厄尔利电压) ICQ 2. 饱和区 发射结和集电结均处于正向偏置。 由于集电结正偏，不利于集电极收集电子，造成基极复合电流增大。因此 （1） i B 一定时，i C 比放大时要小 （2）U CE一定时 i B 增大，i C 基 本不变（饱和区） 临界饱和：UCE = UBE，即UCB=0（C结零偏）。 饱和时，c、e间的电压称为饱和压降，记作UCE(sat)。 （小功率Si管） UCE(sat) = 0.5V～0.3V； （小功率Ge管） UCE(sat) = 0.2V～0.1V。 三个电极间的电压很小，各极电流主要由外电路决定。 3. 截止区 发射结和集电结均处于反向偏置。 三个电极均为反向电流，所以数值很小。 i B = －i CBO （此时i E =0 ）以下称为截止区。 工程上认为：i B =0 以下即为截止区。因为在 i B =0 和i B = －i CBO 间，放大作用很弱。 载流子传输过程 图2―6 共发射极输入特性曲线 2-2-2 共射极输入