第一.5双极型半导体晶体管.pptVIP

1.5.2 双极型晶体管的电流分配关系 1.5.4 晶体管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，uBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，uCE是输出电压，从C、E两电极取出。 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图01.03.04所示。 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除uCE变化的影响，在讨论输入特性曲线时，应使uCE=const(常数)。 共发射极接法的输入特性曲线见图01.03.05。其中UCE=0V 的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE≥1V时， UCB= UCE - UBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子， 且基区复合减少， IC / IB 增 大，特性曲线将向右稍微移 动一些。但UCE再增加时， 曲线右移很不明显。 共发射极接法的输出特性曲线如图01.03.06所示，它是 以IB为参变量的一族特性曲线。 运动到集电结的电子基本上 都可以被集电区收集，此后 UCE再增加，电流也没有明 显的增加，特性曲线进入与 UCE轴基本平行的区域 。 输出特性曲线可以分为三个区域: 晶体管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 　　　　　在放大区基本不变，在共发射极输出特性曲线上，通 过垂直于X轴的直线(uCE=const)来求取IC / IB ，如图01.03.09 所示。在IC较小时和IC较大时， 会有所减小，在放大区的 中间部分直流电流放大系数因输出特性曲线平行等距， 基 本是常数。 显然 与 之间有如下关系: 1.5.5.1.2.1 集电结反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代 表第三个电极E开路，它相当于集电结的反向饱和电流。 在放大区? 值基本不 变，可在共射接法输出特 性曲线上，通过垂直于X 轴的直线求取?IC/?IB。见 图01.03.10，在工作点附近 求?IC和?IB，即可得到?。 1.5.5.2.1.2 共基极组态交流电流放大系数? 1.5.5.3.1 集电极最大允许电流ICM 如图01.03.11所示，当集电极电流增加时，? 就要下降，当? 值下降到线性放大区? 值的70～30％时，所对应的集电极电流称 为集电极最大允许电流ICM。 集电极电流通过集电结时所产生的功耗 PCM= ICUCB≈ICUCE， 因发射结正偏， 呈低阻，所以功耗主 要集中在集电结上。 在计算时往往用UCE 取代UCB。 反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图01.03.12所示。 1.U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和 基极，O代表第三个电极E开路。 1.5.6 晶体管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 双极型晶体管的参数 1.5.5.4.3 温度对输出特性曲线的影响 晶体管的输出特性曲线在温度升高后将向上方移动，升温后有如下后果： 1. 曲线上移后，穿透电流 ICEO增加； 2. 曲线上移后，相同的基极电流变化量?IB得到的?IC，温度高的大于温度低的　　　　　　　　　　 　　　?IC＞ ?IC 3. 晶体管的电流放大系数增加 　 ?＞?