基于ChemCAD的三氯氢硅尾气处理过程模拟及优化.pdfVIP

学兔兔 化 工 进 展 2011年第30卷第10期 CHEMICAL INDUSTRY AND ENGD旺 ERING PROGRESS 基于ChemCAD的三氯氢硅尾气处理过程模拟及优化 吴 正 勇 (四川I化工职业技术学院，四川I泸州 646005) 摘 要：通过ChemCAD流程模拟软件对实际年产7000 t三氯氢硅的生产流程进行模拟、分析，改进三氯氢 硅合成所产生尾气的处理。原工况为合成气深冷分离废气进入三废系统，新工况将原工况的深冷后的气体压 缩后再次深冷分离。使废气的排放量减小至原工艺的 8％左右，减少了尾气排放的污染，产生了良好的经济 和环境效益。 关键词：ChemCAD；三氯氢硅；流程模拟；尾气处理 中图分类号：X 701 文献标志码：A 文章编号：1000—6613(2011)10—2329一O4 Simulation and optimization of the exhaust gas treatment process of trichlorosilane by ChemCAD Zhengyong (SichuanCollegeofChemicalTechnology，Luzhou 646005，Sichuan，China) Abstract：Process simulation of synthesis and separation of trichlorosilane is realized by ChemCAD， based on the design data of 7000t／a trichlorosilane．The treatment of the exhaust gas from trichlorosilane synthesis has been improved by simulation result．In original condition，waste gas is separated from synthesis gas cryogenically，and then piped into waste deposal system；while in new condition，cryogenic gas in original condition is further compressed and separated cryogenically．The exhaust gas emission is reduced by about 8％，which make the process more favorite in both environment and economy． Key words：ChemCAD；trichlorosilane；process simulation；exhaust gas treatment 三氯氢硅是一种用途非常广泛的有机硅单体， 模拟，重点对尾气处理工段进行优化设计。 是生产多晶硅的基本原料…。在三氯氢硅生产中， ChemCAD流程模拟软件对是一个具有强大功 HC1的转化率一般为80％左右，约20％的HC1没有 能的化工计算机模拟软件，是进行化工过程计算机 参加反应，反应后的混合气在140℃的温度下，深 设计、工况分析、优化操作所必不可少的基础工具， 冷分离，效率约85％，有15％的气体没有被冷凝， 是进行系统分析的强有力的手段L