单晶培养的方法和影响因素_江晓静.pdfVIP

210 年第 期 2013 6 单晶培养的方法和影响因素 江晓静 天津师范大学 化 学学院 物理化 学系 天津 ( 300072) 摘 要：本 论 文主要 介绍 了常 用 的几种 培养 单 晶的方法 以及在 培养 单 晶过 程 中的注意 事 项 ，结合 自己实验 室工作 经验探讨 了在单 晶培养 中的影响 因素。 对 以后 单 晶培养 的工作具 有一 定 的指 导作 用 。 关键词：单 晶培养 ，常温挥发法 ，扩散 法 ，溶剂 热 法 上世纪 年代以来， 随着晶体结构分析技术手段的提高、 于扩散效应在凝胶和溶液界面上形成晶体； 也可以在两者之间 80 单晶衍射仪价格的降低和功能的提高，单晶衍射仪越来越普及。 加入缓冲溶剂，扩散到缓冲溶剂中的金属盐和配体形成晶体；还 在配位化学、金属有机化学、有机化学、无机材料化学、生物无机 可以选择套管法让金属盐和配体扩散到凝胶中形成晶体。 对于 化学等领域， 特别是与晶体工程和超分子化学相关的科学研究 易于反应生成沉淀的配合物可以采用 型管， 将金属盐和配体 U 中， 射线单晶结构分析已经成为必不可少的研究手段。 单晶衍 的溶液分别加到底部装有凝胶的 型管的左右两边， 随着扩散 X U 射分析的前提是培养出好的单晶， 因此单晶的培养变得尤为重 在底部形成晶体。 要 我们根据自己的实验经验和相关文献总结了晶体培养的方法 , 和影响因素。 二 、影响 晶体生 长的因素 一 、单 晶培养 的方法 1、内在因素 晶体的生长受到各种因素的影响， 可分为内在因素和外因 单晶培养的方法有多种多样， 在实验室和工作中最常用的 因素，内因起到决定性因素，金属离子和配体结构是 MOFs 结构 合成主要有冷却法，常温挥发法，扩散法，溶剂热法以及溶胶 凝 和性能的决定因素。 一般来说：过渡金属离子，如 ， ， ， ， - Zn Cd Co Ni 胶法。 不同的方法对于不同的单晶的培养合成有着各自的优势。 ， ， 等易与 ， ， 等原子配位，而稀土离子，如 ， ， Cu Mn Ag O N S Nd Ce