上海理工模电习题教程范本.docVIP

答案 2011年09月20日 课后作业答案 1. 2. 2011年09月22日 课后作业答案 3.（a）15V （b）1.4V （c）5V （d）0.7V 4. 2011年09月27日补充作业答案 1 ICBO ICEO 2 （1）C （2）A （3）C （4）B （5）D 2011年09月29日补充作业答案 3. （1）IBQ＝60(A ，作图如下： （2）ICQ＝3mA， UCEQ＝3V （3）首先出现底部失真 （4）Rb 应增大。 4. （1）VCC≈12V， ICQ≈3mA， UCEQ≈3V （2）Rc≈3k， RL≈1.5k Rb≈188k（取UBEQ＝0.7V ） （3）Uom＋≈3V， UOm－≈2.5V， 取Uom≈2.5V 2011年10月08日补充作业答案 5. （1） （2） （3）Uom+＝ICQ(Rc//RL）≈4.1V Uom－－≈3.4V Uom＝3.4V，出现饱和失真， （4） Rb应增大 6. 2011年10月11日 课后作业答案 1. （1）3V 2mA 20(A 3.6V （2） （3）1.4k －6.9 （4）Ri= 6.8KΩ Ro =3KΩ 2.1． 2．正向跟踪范围不变，负向跟踪范围减小 3．Rb 应减小 2011年10月13日 课后作业答案 一、1. B C B B C 2. C B B A C 二、1. 3 2. 输入电阻 输出电阻 三、1. √ 2. √ 3. √ 4. √ 四、 rbe = 0.763 a 1.763 b 51.763K c 15 d 35 2011年10月18日补充作业答案 1. 额定功耗 最大集电极电流 c-e极击穿电压 VT1 70 1W 0.6A 100V VT2 50 80W 25A 80V 复合管 3500 50W 25A 80V 2. (1) 60dB，1000倍 (2) ， (3) 57dB，707倍 (4) 40dB，100倍 2011年10月20日补充作业答案 3. (1) 两级 (2) (3) 4. （a）f＝500Hz， Uom＝1.5V， 不失真φ＝－180℃ （b）f＝5Hz， Uom＝0.75V， 不失真 φ≈－90℃ （c）f＝50kHz， Uom＝2V， 失真 2011年10月25日课外作业答案 1．作uGS＝－2V的垂线，与转移特性曲线交于Q，过Q作切线，切线斜率即是gm≈1.2mS。 2． （a）MOSFET，耗尽型，N沟道 （b）结型，（耗尽型），P沟道 （c）MOSFET，增强型，P沟道 注：结型可以不说明耗尽型，但不能回答为增强型。 3． （a）MOSFET，耗尽型，P沟道 （b）结型，（耗尽型），N沟道 （c）MOSFET，增强型，N沟道 注：结型可以不说明耗尽型，但不能回答为增强型。 2011年10月27日课外作业答案 4. (1) (2) (3) 5. (1) VT1为共源（CS）电路，VT2为共射（CE）电路，VT3为共集（CC）电路。 (2) 2011年11月3日课后作业答案 1. (1) IC1=IC2=0.507mA UCE1=12.6V, VC2=3.5V, UCE2=4.1V （2） R id ≈ 4k? R 0 ≈ 10k? (3) KCMR = 300 (4) 波形图如图所示。 ue的幅值近似为10mV。 2. 1． 故静态时 2． 式中 故 2011年11月8日课后作业答案 3. 判别反馈类型 (a) 电压并联正反馈 (b) 电压并联负反馈 (c) 电压串联正反馈 (d) 电压串联负反馈 201