四甲基碳酸氢铵电解合成四甲基氢氧化铵.pdfVIP

G-059 四甲基碳酸氢铵电解合成四甲基氢氧化铵 垂盎壬，张新胜’ 机碱，极易吸潮，在空气中能迅速吸收二氧化碳，在135—140C完全气化。’TMAHlwt％水溶液的 pH值为12．9，与苛性碱有同等程度的有机强碱，在工业上有广泛的应用，如可用于硅橡胶、硅树脂 和硅油等有机硅产品合成中的催化剂、聚酯化合物的合成。因TMAFI独特的热分解性质，被广泛用 于电子领域作为集成电路的清洗剂和半导体微加工技术中的腐蚀剂，当TMAFI用于电子领域中时， 要求TMAH中的杂质含量很低．TMAH的制备方法国内早期使用氧化银法，但是这种方法原料昂贵， 而且产品含有较高的杂质离子，无法满足电子领域清洗和腐蚀的要求．还有部分厂家使用电解法制 要表现在【21：①在电解过程中阳极室生成有害的具有腐蚀性的卤素离子和气体，腐蚀阳极本身、电 解设备(如电解槽)以及阳离子交换膜。②产品四甲基氢氧化铵中有氯离子含量较高，无法满足半 导体工业的要求．本文使用四甲基碳酸氢铵为原料，采用恒电流法电解制备TMAH，可以很好的解 决以上问题． 1实验 将离子交换膜使用去离子水清洗，在2％HCl溶液中浸泡一昼夜，接着在2％TMAH溶液中浸泡 一昼夜，再使用去离子水清洗，待用．在H型电解槽中，阴极室为150ml的纯水，加入2ml自制的 TMAH溶液，阳极室为：四甲基碳酸氢铵溶液。阳极为钛基二氧化铱，阴极为不锈钢电极，离子交 换膜使用旭硝子的CMF膜，其实验过程为：分别对不同电流密度、电解温度和原料浓度条件下电解 制备TMAH。选用不同型号的阳离子交换膜进行电解，考察了离子膜对产品纯度的影响． 2结果与讨论 2．1电解原理 四甲基碳酸氢铵置于阳极室中，阴极室中为含有低浓度的四甲基氢氧化铵的去离子水．在电场 力的作用下，阳极室中的碳酸氢根离子向阳极迁移，同时水分子在阳极失去电子而生成H+和02， H+与碳酸氢根反应生成C02和H20。同时四甲基铵根离子才能选择透过进入阴极室．阴极室中的水 分子在阴极上取得电子生成氢气和等量的氢氧根离子．氢氧根离子恰好和四甲基铵根离子结合生成 四甲基氢氧化铵．随着通电量的增加，四甲基氢氧化铵的浓度逐渐增大，最终达到预期的浓度。 阳极过程反应为： (CH3)4NHC03)(CH3)4N++HC03 2H20—纯_÷4旷+02t HC03’+H+一C02t+H20 阴极过程反应为： H20—H++OH‘ (CH3)dr+OH．_(CH3)科oH 2H++2e．一H2t 整个反应为： (CH3)4NHC03+2H20--+(CH3)4NOH+02t+C02t+H2T 2．2电流效率及其影响因素 实验测定电流密度J、原料浓度c及其电解温度T对电流效率Y的影响结果如图1～3所示。图1 表明，随着电流密度的增大，电流效率逐渐减小，这是因为当电流密度增大时，由于OH-离子透过 1500 阳离子交换膜进入阳极室，导致电流效率降低，根据电解的时空效率，电流密度选择为800t A／m2．图2表明，随着原料浓度的增大，电流效率也增大，这是因为当原料浓度增加时，有更多地 1003 Q059 TMA+可以透过阳离子交换膜，而且此时溶液的电阻小．但是当原料浓度较大时，杂质离子的反渗透 能力增大，从而影响产品的纯度，且电解的槽电压也很高，所以选择原料浓度为3mol／L进行电解。 图3表明电流效率随着温度的升高先升高，但是当温度超过60C时，电流效率有所下降，这是因为 在较高温下，阳离交换膜的孔径变大，导致OH。离子反渗透到阳极室的量增大，从而导致电流效率 的降低，由实验可知最佳电解温度为40．60C． ，‘王 ∞得％w铊∞醯 3006009001200t500lSoo2Ioo