高精度电压测量芯片设计报告精要.ppt

高精度电压测量芯片设计 作者: 杜 刚 目录 背景介绍 芯片设计 芯片特点及创新 开发背景（国内外技术对比） 国外技术 国内技术 国外技术 目前ADI公司掌握着世界上最先进电压测量技术，他们最高测量精度可达150nV，但是价格相当高，单只芯片价格大概为300元人民币。这跟几元钱精度1mV的芯片比太贵，很需要提高技术降低成本。 国内技术 目前国内电压测量技术最先进应该是华胄公司，他们最高测量精度可达50uV，价格在40元左右。测量精度远不能满足一些精密的测量，很需要该进技术提高测量精度。 对比 国外测量精度高但价格高，国内测量精度不高，而电压的测量从日常生活到工业生产都需要，尤其现在对精度的要求越来越高，这就急迫要求我们中国人能生产出自己的低价高精电压测量芯片。 我们的芯片设计 整体电路介绍 性能及参数 特点，创新 创新： 进度安排 后继开发 增加温度测试功能 增加电容，电感的测试功能 继续提高芯片分辨率，较少误差 增加抗干扰能力 经费使用 二万元用于流片制造。 一万元用于测试。 一万元用于申请专利、文献查询。 组 员 导师：邬齐荣 周唐成 郑涵月 杜 刚 谢 谢！ * * * * * 电压测量应用于各个行业，它涉及到我 们的生活，教学，医疗，科学研究，工业生产。 现在还应用于X射线管电压测量 通过电压测量控制离子碰撞 开发背景（应用） 24位 分辨率：150nV 转换速度：10nS 我们的芯片设计方案 (1)采用双积分原理设计A/D（模数 转换器） (2)采用华润上华0.5umCMOS工艺 芯片整体构架 控制电路 时序电路 A/D转换器 存储器 采样 电路 输出 AC/DC I / V R / V 输入 芯片能达到的具体参数 位数：20位 分辨率：1uV 转换速度：10nS 量化误差：1LSB（LSB是最小测量单位) 偏移误差：1LSB 功耗：200mW 芯片驱动电压：5V 工作温度范围：-50摄氏度到100摄氏度 设计方案特点 芯片中核心部分采用双积分ADC： 双积分ADC具有精度高.工作性能稳定.抗干扰能力强等优点 并在此积分器中采用了Bootstrapping开关，进一步提高了积分器的性能 对普通采样—保持电路进行优化 在输入端增加了一级隔离放大电路，大大提高了采样速度 测量精度高：满足要求越来越精确的测量， 适于科学研究，工业生产 采用0.5uM的工艺：0.5uM微米的工艺已经很 成熟，制成的电路稳定性好，MOS管器件参 数精确。 适应环境强：工作温度范围大，抗噪声和磁 场能力强，适应在不同的环境 下工作。 整体 规划 模块 设计 完整电路 及测试 流片 制造 版图设计 与仿真 封装 测试 总结 申请专利 期中考核