第1章〔自测题、习题〕参考解析.doc

模拟电子技术基础 自测题与习题参考答案 刘波粒 刘彩霞 主编 高等教育出版社 Higher Education Press 目录 第1章 半导体二极管及其基本电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 第2章 双极型晶体管及其基本放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 第3章 场效应管及其基本放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 第4章 多级放大电路与频率响应. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26 第5章 放大电路中的反馈. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40 第6章 功率放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50 第7章 集成运算放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .60 第8章 集成运算放大电路的基本应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .73第9章 信号发生电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .91 第10章 直流电源. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .102 第1章 半导体二极管及其基本电路 自测题 1.1填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于________，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 2．半导体中的漂移电流是在 作用下形成的，扩散电流是在 作用下形成的。 3．当温度升高时，二极管的正向压降将_______，反向电流将_______。 4．面接触型二极管由于它的PN结结电容 ，适用于_____等低频电路中。 5．二极管最主要的特性是，它有两个主要参数，一个是反映正向特性的，另一个是反映反向特性的。 在常温下，硅二极管的开启电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V；锗二极管的开启电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V。，。把它们串联相接可得到_____、_____、_____和_____的稳压值。把它们并联可得到_____和_____稳压值。 9．光照强度加强，PN结呈现的电阻会变 。 答案：1．杂质浓度，温度。2．电场，浓度差。3．减小，增大。4．大，整流。5．单向导电最大整流电流最大反向工作电压URM5，0.7，0.1，0.2。7．反向击穿。8．15V，9.7V，6.7V，1.4V，6V，0.7V。9．小。 1.2选择题 1．在本征半导体中加入适量的_____元素可以形成N型半导体，加入_____元素可以形成P型半导体。 A．二价；B．三价； C．四价； D．五价。 2．PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 大于于等于变宽变窄不变PN结正偏说法正确的是 A．P端加正电压N端加负电压N端加正电压P端加负电压P端N端都加正向电压 D．P端N端都加反向电压挡和挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果是_____。 A．挡的测量值比挡测量值大； B．挡的测量值比挡测量值小； C．相同。 5．理想二极管的正向电阻为A．零B．无穷大C．约几千欧约几十欧 A．50V； B．100V； C．150V； D．200V。 7．在常温下测得流过某二极管的电流为10mA，此时二极管的动态电阻为______。 A．； B．； C．； D．条件不足，无法计算。 8．稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为3V，正向导通电压，其输出电压为。3V； B．0.7V； C．7V； D．14V。 9．稳压管稳压电路如图所示，其中，，输出电压为。 V； B．7V； C．1V； D．0V。 答案：1．D、B。2．A、E、B、D。3．A。4．B。5．A。6．D。7．C。8．C。9．C。 1.3判断题 1．在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体。（ ） 2．因为P型半