2011版大作业答案(计算题部分)汇.docVIP

第一章 气体分子动理论 （说明：由于时间仓促，所给答案仅作参考） 三、计算题： 解：（1）由理想气体的压强和温度的关系得： （2）由理想气体的状态方程得： (3) n个分子占据一单位体积，所以每个分子平均占据1/n的立方空间，因此分子间的平均距离： 2、解：（1）由理想气体状态方程及得： 摩尔质量： 由此判断该双原子气体为氮气或者是一氧化碳。 （2）气体分子的方均根速率： (3) 气体分子得平均平动动能： 气体分子得平均转动动能： （4）单位体积内的气体分子数： 单位体积内气体分子的总平动动能： （5）0.3mol该气体的内能： 3、解：设使用前质量为M，则使用后质量为，则可列出使用前后的理想气体状态方程： ① ② 联立①②两式，得： 平均速率之比：= 第二章 热力学基础 五、计算题： 1、解：(1)CA过程为等容过程，则： 得： BC过程为等压过程，则： 得： (2)由题意得，，，，摩尔数 过程： 过程： 过程： 2、解： ，过程为等压过程，，为等温过程，则有： 所以，循环效率： ① ② 由①和②联立可得： ③ 2到3过程，4到1过程为绝热过程，有 循环过程的效率： 利用③式，可得： 即 第三章 静电场 三、证明： 如图，设球壳的介电常数为ε，在球壳区域内作一半径为r的闭合圆球面为高斯面。 则由高斯定理得： 高斯面上任意一点的场强大小为： 即 即球壳区域内的场强E的大小与r无关。 四、计算题 解：(1)经分析，“无限长”带电圆柱体产生的电场具有柱对称性，现以圆柱体的中心轴线为轴线，作半径为r、高为h的闭合圆柱高斯面，由高斯定理得 当rR时 ， 得： 当rR时 ， 得： (2)设圆柱表面处为零势面，则 2、解：由高斯定理及静电感应平衡条件得各区域的电场强度分布为 由电势的定义可得： （1）导体球的电势 （2）导体球壳的电势 （3）将外球壳接地，则 而 3、解：经分析，带电同轴电缆产生的电场具有柱对称性，现以同轴电缆的中心轴线为轴线，作半径为r、高为h的圆柱高斯面，由高斯定理得 （1）当rR时 （2）当rR时 （3）当R1rR2时 故 4、解：由题意得，以同轴电缆的中心轴线为轴线，取半径为r、长为h的高斯面，由高斯定理得介质内的电位移矢量和电场强度分别为 ， 则电介质中的总电场能量 （2）由得电容器的电容 第四章 稳恒磁场 三、计算题 1、解：(1) 如图示，在点产生的磁感应强度由毕奥－萨伐尔定律得： 即： （2）解法一：当时， 解法二：当时，趋于圆形导线，按圆形导线给出计算，即 2、解：以a为半径分别作圆周和，即所取安培环路，两段线在P点的磁场强度方向均指向纸内，由安培环路定理得 ， ， 即 ， ， 即 所以，， 由右手螺旋法则可知，方向垂直于纸面向内。 3、解：题目中所涉及到的同轴电缆产生的磁场具有轴对称性，利用环路定理求解各区域的磁感应强度，所作环路如图所示。 (1) ， (2) ， (3) ， (4) ， (5) 曲线如图所示。 第五章 电磁感应 三、简答题 1、涡旋电场与静电场的异同。 相同点：对放入其中的电荷有力的作用。 不同点：①静电场由相对观察者静止的电荷产生，涡旋电场由变化的磁场产生； ②静电场的环路定理，为无旋场， 涡旋电场的环路定理，为有旋场； ③静电场的高斯定理，为有源场， 涡旋电场的高斯定理，为无源场。 2、位移电流和传导电流的异同。 相同点：都能够产生磁场。 不同点：①产生的机制不同：传导电流由运动的电荷产生，位移电流由变化的磁场产生；②热效应不同：传导电流可产生焦耳热，而位移电流不能产生焦耳热；③存在空间不同：传导电流存在于导体内，位移电流可存在于真空、导体和介质中。 四、计算题 1、解：题目中所涉及到的同轴电缆产生的磁场具有轴对称性，利用环路定理求解各区域的磁感应强度。 (1) 在区域， ， ， 故 在区域，利用有介质的安培环路定理 ，， 故 (2) 电缆单位长度的自感系数 2、解：如图所示建立坐标轴，且的方向为轴的正方向。 由于铜杆处在通电导线的非均匀磁场中，因此必须将铜杆分成很多长度元，这样在每一个处的磁场可以看作是均匀的，其磁感应强度的大小为 式中为长度元与长直导线之间的距离。 根据动生电动势的公式， 可知小段上的动生电动势为 由于所有长度元上产生的动生电动势的方向都是相同的，所以铜杆中的总电动势为 方向与轴的正方向相反。 3、证明：通电螺线管的磁场为 证毕 4、解：题目中所涉及到的同轴电缆产生的磁场具有轴对称性，利用环路定理求解各区域的磁感应强度，所作环路