轻松快速提高电源效率的解决方法–郭春明.pptVIP

谢谢！ ? Copyright 2010 Power Integrations * 轻松快速提高电源效率的解决方法 2012年4月 提升效率的简单方法 开关电源的发展趋势是必须满足越来越高的待机效率要求 这可以通过消除EMI滤波器环节及高压通路上的空载损耗来实现 对更高功率密度和高效率的需求 要求提高开关频率，因而须采用高性能元件 使用高性能600V PFC二极管将CCM PFC损耗降至最小 在高压直流输出应用中，利用软开关整流管可实现无缓冲电路工作， 同时不会增加EMI和电压应力 消除损耗 提高待机效率 改进现有设计或在新设计中实现 创新的IC可提升待机效率 CAPZero SENZero 电容主动放电 + 高压信号断接 = 功率节省！ 在待机期间断开未使用的高压通路 单芯片集成解决方案 与CAPZero配合使用可进一步降低待机/空载功耗 通过在功率节省模式禁用电路功能块实现 功率节省 使待机功耗至少降低150 mW 另一个提高待机效率的应用范例 SENZero用于PFC和DC-DC级 额定高压MOSFET：650 V，在25 oC结温TJ下 使用多个SENZero满足3个以上通道的要求 超低待机功耗的两通道和三通道版本 元件编号 断开通道 230 VAC时的待机功耗 SEN012 2 1 mW SEN013 3 1.5 mW 650 V 低漏电流MOSFET 本图显示的是两通道(SEN012)版本 消除放电电阻中的损耗–CAPZero X电容主动放电 可自动消除来自X电容放电电阻损耗的创新器件 施加AC电压后：放电通路开路 断开AC电压后：X电容放电以满足安全要求 可使设计满足严格的待机/空载功耗要求，无需重新设计 CAPZero允许增大X电容的值，而不会带来 额外损耗 实测数据点 典型损耗RXCAP,DIS 采用CAPZero后的性能 ~4 mW @ 230 VAC 230 VAC，750 ms时间常数 （提供可满足1秒最差情况的裕量以及+/-20%电容容差和+/-5%电阻容差） X电容(nF) 放电电阻损耗 (mW) 允许使用更大容量的X电容，而不会增加待机损耗 增大X电容以降低CM/DM扼流圈滤波 满足EMI规范 提升效率 减小元件尺寸/省去元件可带来空间和成本的节省 CAPZero可提高EMI滤波器设计的灵活性 之前 带大共模电感及 差模电感的小容量X电容 之后（采用CAPZero） 带小共模电感及 和 差模电感的大容量X电容 最大总 X电容 元件编号 (825 V) 元件编号 (1000 V) 500 nF CAP002 CAP012 750 nF CAP003 CAP013 1 μF CAP004 CAP014 1.5 μF CAP005 CAP015 2 μF CAP006 CAP016 2.5 μF CAP007 CAP017 3.5 μF CAP008 CAP018 5 μF CAP009 CAP019 CAPZero SOIC-8 可满足设计要求的CAPZero产品系列 待机效率提升示例 电源中可消除的待机损耗 2 μF的总X电容可在230 VAC下产生147 mW的放电电阻损耗 三个高压(325 VDC)通路的总损耗为150 mW 消除291 mW的净损耗可提升待机效率 Qspeed混合PiN Schottky技术提供比SiC更低的开关损耗 阳极 阴极 肖特基触点 P-Wells 缓冲层 低稳压值/高速肖特基 低漏电流/高阻P-N 深沟道P-Wells提供Qrr 提供比SiC肖特基二极管更低的开关损耗 能以显著低的成本且在80Khz的开关频率下达到与SiC二极管相当的效率 Qspeed二极管产品系列 2011年第4季度 2012年第1季度 2011年第2季度 2011年第3季度 适用于CCM PFC的Q系列600V，TO-220AC封装（隔离式） 3A, 5A, 8A X系列 最佳值 （成本最低，低Qrr） Q系列 最软反向恢复 （最适合EMI控制） H系列 最低Qrr （开关损耗最低） 适用于开关电源输出整流二极管的Q系列300V双二极管 6A, 10A, 16A, 30A H系列600V D2Pak（隔离式） 适用于CCM PFC的X系列600V（TO-220AC、D2Pak、FullP