光电检测技术与应用 第2章 光电检测技术基础汇.pptVIP

第二章 光电检测技术基础;导体、半导体和绝缘体;半导体的特性;本征和杂质半导体;平衡和非平衡载流子;非平衡载流子的产生;载流子的输运过程;半导体对光的吸收;杂质吸收和自由载流子吸收;激子和晶格吸收;光电导效应、光生伏特效应和光热效应;光电效应解释;光对电子的直接作用是物质产生光电效应的起因;光电导效应;本征光电导效应;基本公式：;杂质光电导效应：杂质半导体; 光电导效应指固体受光照而改变其电导率。此效应是最早发现的光电现象。半导体和绝缘体都有这种效应。 电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。 入射光的光子能量等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE (禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离)，也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λC ， 若λC 以μm 计，ΔE 以eV 计，则λC与ΔE的关系为 λC = 1.24 / ΔE  就光电器件而言，最重要的参数是灵敏度，弛豫时间和光谱分布。下面讨论一下光电导体的这三个参数。; 一、光电导体的灵敏度 灵敏度通常指的是在一定条件下，单位照度所引起的光电流。由于各种器件使用的范围及条件不一致，因此灵敏度有各种不同的表示法。光电导体的灵敏度表示在一定光强下光电导的强弱。它可以用光电增益G来表示。根据恒照即定态条件下电子与空穴的产生率与复合率相等可推导出： G = βτ/ tL ： （1）  式中β为量子产额，即吸收一个光子所产生的电子空穴对数；τ为光生载流子寿命；tL为载流子在光电导两极间的渡越时间，一般有 tL = l /μE = l2 /μU （2） 将式（1）代入式（2）可得  G = βτμU/l2 ;式中l为光电导体两极间距；μ为迁移率；E为两极间的电场强度；U为外加电源电压。可知，光电导体的非平衡载流子寿命τ越长，迁移率μ越大。光电导体的灵敏度（光电流或光电增益）就越高。而且，光电导体的灵敏度还与电极间距l的平方成反比。 如果在光电导体中自由电子与空穴均参与导电，那么，光电增益的表达式为 G = β(τnμn +τpμp )U/l2  式中τn和τp分别为自由电子和空穴的寿命；μn和μp分别为自由电子和空穴的迁移率。;2、光电导弛豫过程;3、光电导增益;4、光电导的光谱分布 半导体的光电导与光照的波长有密切关系。测量光电导的这种光谱分布是确定半导体材料光电导特性的一个重要方向，它是针对不同实际需要研制材料的一项重要依据。如PbS，PbSe，PbTe可以有效地利用到10μm的红外光波段，而CdS可以有效地利用到X光的短波范围。此外，也只有首先确定了光谱分布，才能利用光电导来比较不同波长的光强。(1)本征光电导的光谱分布;一些典型的半导体本征光电导光谱分布曲线;由图可以看出，在短波方向，当波长增加时，光电导随之缓慢增加，经过一个最大值后，又陡峭地下降。由于光电导不存在一个明显的长波限，T.S.莫斯提出把光电导的数值降到最大值一半时所处的波长定为长波限。在最大值的长波方面，光电导的下降是较好理解的。因为在长波部分，光子能量低，不足以引起本征光吸收，所以光电导迅速下降。在短波方面，如果光滑曲线是等能量曲线，由照射的光子数目少，自然引起光电导下降；如果光谱曲线是等量子曲线，则光电导下降的物理机理比较复杂。可以肯定，波长短，样品对光的吸收系数大，光生载流子就愈集中于光照表面。这时受表面影响大，诸如表面能级、表面复合与电极等可能降低量子产额，减少载流子迁移率与寿命，都将引起光电导下降。;(2)、杂质光电导的光谱分布 半导体杂质吸收光子将杂质能级上的电子或空穴激发成为自由的光生载流子，这就要求光子能量必须大于等于杂质的电离能。由于杂质的电离能小于禁带宽度，因此杂质光电导的光谱响应波长比本征光电导的长。同时由于杂质原子数目少，所以杂质光电导效应相对本征光电导来说也微弱得多。;掺有不同量砷施主杂质的掺金锗杂质光电导光谱分布曲线; 由图可以看出，光电导在光子能量0.7eV附近陡起明显，表示本征光电导开始。在本征光电导长波限左边，光子能量小于锗禁带宽度（0.68eV），这时光电导显然是杂质光电导光谱曲线继续向左边延伸时，可以看到，在某一波长处曲线迅速下降，这就是杂质光电导的长波限。此处光子的能量等于杂质的电离能。能量再低