6数据转换与存储分解.ppt

数据转换与存储 7.1 数模转换器 从模拟信号转换到数字信号称为模数转换，把实现模数转换的电路称为模数转换器（ADC）。 从数字信号转换到模拟信号称为数模转换，把实现数模转换的电路称为数模转换器（DAC）。 DAC 主要电路形式 主要参数 分辨率 转换精度 建立时间 主要指标 位数 参考电压 转换时钟 【例7.1.1】某倒T型电阻网络DAC，将其输入值从最小以1递增至最大，再以1递减至最小，周而复始，产生一周期为51ms的三角波。要求其波形峰峰值（最大值与最小值之差）2V±1%，最小分辨电压不大于10mV，试确定DAC的主要参数。 位数 参考电压 转换时钟 7.2 ADC 主要参数 分辨率 转换时间 相对精度 主要指标 采样速率 位数 参考电压 【例7.2.1】某ADC对正弦信号x(t)=sin(4π?106t)进行采样，采样起点为100ns，要求分辨率不大于10mV，试确定ADC电路的参数和以及采样结果。 7.3 数据存储 存储器原理 半导体存储器 只读存储器ROM 由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成 存储单元存放一位二值代码。 信息单元存放若干个存储单元组成一个“字” 。 地址输入线A0~An-1 译码输出线W0~W2n-1。 称为“字线”，与存储矩阵中的一个“字”相对应。 每当给定一组输入地址时，译码器只有一条输出字线Wi被选中，该字线可以在存储矩阵中找到一个相应的“字”，并将字中的m位信息Dm-1~D0送至输出缓冲器。 每条数据输出线Di也称为“位线”，每个字中信息的位数称为“字长”。 存储容量 用存储单元的数目来表示 存储容量=字数?位数 2n个字， 每个字的字长为m 存储容量为2n×m位。 习惯用K(1 K=1024)为单位来表示 存储单元 可以用二极管构成， 可以用双极型三极管或MOS管构成。 输出缓冲器是ROM的数据读出电路，通常用三态门构成。 可以实现对输出数据的三态控制，以便与系统总线联接 可以提高存储器的带负载能力。 字数：22＝4 （2根地址线） 字长：4 容量：4?4bit A1 A0 W3 W2 W1 W0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 1 ROM在组合逻辑设计中的应用 从存储器的角度看，只要将逻辑函数的真值表事先存入ROM，便可用ROM实现该函数。 从组合逻辑结构来看 地址译码器形成了输入变量的所有最小项，即每一条字线对应输入地址变量的一个最小项。 存储矩阵形成了某些最小项的“或”运算。 对于前面讲过的二极管掩模ROM中，有一个数据输出表（如下） A0~An-1 W0 W(2n-1) 试用ROM产生下列一组组合逻辑函数 由于要实现的是4个逻辑函数，且逻辑函数为4变量的，所以需要4位地址输入和4位数据输出，故选16×4的ROM实现。 图7.5.1 ROM在组合逻辑设计中的应用设计步骤 根据逻辑函数的输入、输出变量数目，确定ROM的容量，选择合适的ROM。 写出逻辑函数的最小项表达式，画出ROM的阵列图。 根据阵列图对ROM进行编程。 【例】用ROM设计一个四位二进制码转换为格雷码的代码转换电路。 输入是四位自然二进制码B3~B0，输出是四位格雷码G3~G0，故选24×4 的ROM。 最小项之和式 阵列图 随机存取存储器RAM 随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。 分为静态RAM和动态RAM。 数据易失性 一旦断电，所存储的数据全部丢失。 暂时存储程序、数据及中间结果 速度比ROM快得多。 由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成。 存储矩阵由许多存储单元排列组成，每个存储单元能存放一位二值信息(0或1)，在译码器和读/写电路的控制下，进行读/写操作。 地址译码器分成 行地址译码器和列地址译码器两部分 行地址译码器将输入地址代码的若干位A0~Ai译成某一条字线有效，从存储矩阵中选中一行存储单元； 列地址译码器将输入地址代码的其余若干位(Ai+1~An-1)译成某一根输出线有效，从字线选中的一行存储单元中再选一位(或n位)，使这些被选中的单元与读/写电路和I/O(输入/输出端)接通，以便对这些单元进行读/写操作。 读/写控制电路用于对电路的工作状态进行控制。 CS称为片选信号， CS=0时，工作。CS=1时，所有I/O端均为高阻状态，不能进行读/写操作。 R/W称为读/写控制信号。 R/W=1 时，执行读操作，将存储单元中的信息送到I/O端上； 当R/W=0时，执行写操作，加到I/O端上的数据被写入存储单元中。 R/W控制着I/O的引脚功能，读时I/O作为输出，写时作为输入。 位数的扩展 将所有RA