2012高三物理一模二模计算题汇总.docxVIP

 PAGE \* MERGEFORMAT 42 虹口2012 六．计算题（共50分。答案写在答题纸中指定的题号处。） 30．（10分）如图（1）所示，圆柱形气缸的上部有小挡板，可以阻止活塞滑离气缸，气缸内部的高度为d，质量不计的薄活塞将一定质量的气体封闭在气缸内。开始时活塞离底部高度为，温度为t1=27℃，外界大气压强为p0=1.0×l05Pa，现对气体缓缓加热。求： （1）气体温度升高到t2=127℃时，活塞离底部的高度； （2）气体温度升高到t3=387℃时，缸内气体的压强； （3）在图（2）中画出气体从27℃升高到387℃过程的压强和温度的关系图线。 图（2） 0.4 p/×105Pa t/℃ 0 100 200 300 400 1.0 2.0 图（1） 0.4 d d 31.（12分）质量为m=0.5kg、可视为质点的小滑块，从光滑斜面上高h0=0.6m的A点由静止开始自由滑下。已知斜面AB与水平面BC在B处通过一小圆弧光滑连接。长为x0=0.5m的水平面BC与滑块之间的动摩擦因数μ=0.3，C点右侧有3级台阶（台阶编号如图所示），D点右侧是足够长的水平面。每级台阶的高度均为h=0.2m，宽均为L=0.4m。（设滑块从C点滑出后与地面或台阶碰撞后不再弹起）。 （1）求滑块经过B点时的速度vB； （2）求滑块从B点运动到C点所经历的时间t； （3）（辨析题）某同学是这样求滑块离开C点后，落点P与C点在水平方向距离x的： 滑块离开C点后做平抛运动，下落高度H=4h=0.8m，在求出滑块经过C点速度的基础上，根据平抛运动知识即可求出水平位移x。 L x0 h h0 A B C D E ① ② ③ 你认为该同学解法是否正确？如果正确，请解出结果。如果不正确，请说明理由，并用正确的方法求出结果。 32．（14分）如图（甲）所示，MN、PQ为水平放置的足够长的平行光滑导轨，导轨间距L为0.5m，导轨左端连接一个阻值为2Ω的定值电阻R，将一根质量为0.2kg的金属棒cd垂直放置在导轨上，且与导轨接触良好，金属棒cd的电阻r=2Ω，导轨电阻不计，整个装置处于垂直导轨平面向下的匀强磁场中，磁感应强度为B=2T。若棒以1m/s的初速度向右运动，同时对棒施加水平向右的拉力F作用，并保持拉力的功率恒为4W，从此时开始计时，经过一定时间t金属棒的速度稳定不变，电阻R中产生的电热为3.2J，图（乙）为安培力与时间的关系图像。试求： （1）金属棒的最大速度； （2）金属棒速度为2m/s时的加速度； （3）此过程对应的时间t； （4）估算0～3s内通过电阻R的电量。 F安/N t/s 1.0 2.0 3.0 0.5 1.0 0 图（乙） R M N P Q c d F 图（甲） 浦东2011 六．计算题（本大题有4小题，共50分）本题必须在答题纸中指定位置解答。要求写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤。 （a） （b） 30. （10分）如图（a）所示，一导热性能良好、内壁光滑的气缸水平放置，横截面积为S＝2×10-3m2、质量为m＝4kg厚度不计的活塞与气缸底部之间封闭了一部分气体，此时活塞与气缸底部之间的距离为24cm，在活塞的右侧12cm处有一对与气缸固定连接的卡环，气体的温度为300K，大气压强P0＝1.0×105Pa。现将气缸竖直放置，如图（b）所示，取g＝10m/s2 。求： （1）活塞与气缸底部之间的距离； （2）加热到675K时封闭气体的压强。 31．（12分）如图所示，绝缘的光滑水平桌面高为h＝1.25m、长为s＝2m，桌面上方有一个水平向左的匀强电场。一个质量为m＝2×10-3kg、带电量为q ＝＋5.0×10-8C的小物体自桌面的左端A点以初速度vA＝6m/s向右滑行，离开桌子边缘B后，落在水平地面上C点。C点与B点的水平距离x＝1m，不计空气阻力，取g＝10m/s2。 A E B C h x s v0 q （1）小物体离开桌子边缘B后经过多长时间落地？ （2）匀强电场E多大？ （3）为使小物体离开桌面边缘B后水平距离加倍，即，某同学认为应使小物体带电量减半，你同意他的想法吗？试通过计算验证你的结论。 B L a b c d 32．（14分）如图所示，一质量m＝0.10kg、电阻R＝0.10Ω的矩形金属框abcd由静止开始释放，竖直向下进入匀强磁场。已知磁场方向垂直纸面向内，磁感应强度B＝0.50T，金属框宽L＝0.20m，开始释放时ab边与磁场的上边界重合。经过时间t1，金属框下降了h1＝0.50m，金属框中产生了Q1＝0.45J的热量，取g＝10m/s2。 （1）求经过时间t1时金属框速度v1的大小以及感应电流的大小和方向； （2）经过时间t1后，在金属框上施加一个竖直方