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半导体光电子学复习汇
光电倍增管的工作原理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 简答题 简要阐述能带理论的价带、导带、禁带、带隙的定义。 能带中电子按能量从低到高的顺序依次占据能级。与最外层价电子能级对应的能带称为价带。 价带上方是未被电子占据的空能带。价电子到达该空带后将能参与导电，因此该空能带又称为导带。 价带和导带之间不存在能级的能量范围叫做禁带。 禁带的能量宽度便称作带隙。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 直接带隙与间接带隙 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 简答题 结合下图阐述太阳能电池(光伏元件)的基本工作原理。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. n型半导体很薄（p型通常是n型的100倍以上）掺杂比较高 鱼骨状电极，增透膜 掺杂浓度高，相应的空间电荷区（耗尽层）的宽度小 波长0.5~0.7μm 中波长 耗尽区； 波长0.4μm附近1μm范围吸掉；0.9~1.1μm长波长的光 ▲在耗尽区产生的电子空穴对，在内建电场的作用下进行分离；而在n区和p区要依据扩散作用。 ▲长波长光子在p区被吸收，Le少数载流子 穿透深度 ▲短波长光子在n区被吸收，Lh少数载流子 可以认为Lh+W+Le这段宽度对太阳能电池有贡献，电子的穿透深度比空穴的要长，LeLh 所以选择p区比你n区宽很多(100多倍) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 简答题 结合右图阐述PIN光电二极管的基本工作原理。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. pin半导体元件的理想化结构如图所示为p+-本征-n+的结构；本征层的浓度小于p+和n+区域，而且宽度大于p+和n+区，典型值为5~50μm，以特殊应用而定。在理想化pin光二极管，为方便起见，我们可以使用i-Si当作真正的本征半导体。当pin结构形成时，空穴和电子分别由p+和n+区往i-Si层扩散，在i-Si层的空穴与电子复合而消失，这会在p+区留下薄的带负电荷的受主离子层，在n+区留下薄的带正电荷的施主离子层。在i-Si层有均匀的内建电场，电场方向是由正的施主离子指向负的受主离子，与pn接面光二极管比较，pn接面耗尽层的内电场是不均匀的。在没有外加偏压之下，内建电场E0会阻止多数载流子进一步扩散到i-Si层而达成平衡。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 简答题 LED发光的原理 LED （Light Emitting Diode ），是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，空穴占主导地位，另一端是N型半导体，主要是电子。这两种半导体相连就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose P
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