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14.裂片机 技术指标： 4英寸以下劈裂 工艺特点： 1.配备影像识别，支持全自动功能，操作更加简单 2.同轴CCD视觉系统，支持视野观察晶片； 示例： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 15.激光剥离机 设备简介： 厂商：美国JPSA 型号：IX-200 工作原理： KF准分子激光产生248nm紫外激光,该种波长的光能透过蓝宝石照射到GaN缓冲层上被吸收，导致GaN缓冲层温度瞬间升高至达到分解的条件，生产氮气和镓。 用途： 主要对基于蓝宝石衬底的GaN外延片进行蓝宝石衬底的剥离，能对样品进行紫外激光照射处理等。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 15.激光剥离机 技术指标： 1.管芯隔离后2寸wafer，10min可实现剥离; 2.2寸整片剥离需40min 工艺特点： 可实现单颗管芯或者整片剥离 示例： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 16.键合机 设备简介： 厂商：台湾聚昌 型号：Tbon 100 工作原理： 真空下，通过加温，加压使两个wafer界面紧密贴合，界面两边的金属经过一定时间的互扩散后形成两个wafer的键合。 用途： 本设备专门用于wafer 键合，可实现两个分离的基片相结合。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 16.键合机 技术指标： 1.可加工横向尺寸4英寸及以下的wafer； 2.键合界面需要金属镀层，如Au、AuSn合金等； 3.wafer界面表面平整、干净，粗糙度小于100nm； 4.键合温度最高450度，压力最高900kg。 工艺特点： 本设备真空度能达到90torr，腔室可充氮气 示例： W cu与GaN wafer 的键合 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 17.水平减薄机 设备简介： 厂商：韩国NTS.CO.,LTD 型号：NanoSurface GH180P-V 工作原理： 金刚石砂轮盘与工件托盘相对转动，辅以水溶性冷却液，使减薄面达到镜面级。 用途： 可对蓝宝石、硅晶片、GaAs外延片进行背面减薄 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 中国科学院半导体研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式 中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介 2014-3-3 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 按实际月份、日期填写 半导体照明研发中心简介 “中国科学院半导体照明研发中心”，拥有 1500平方米的超净工艺环境；装备方面总体已完成 投入4000余万元，具备从材料制备、芯片工艺、封 装测试完整的研发工艺线。 “中心”组建了强有力 的研发团队,由18位留学回国人员、30余名正高