晶圆级封装要点.ppt

晶圆级封装（WLP）; ;圆片级封装的优势; 圆片级封装技术的优势使其一出现就受到极大的关注并迅速获得巨大的发展和广泛的应用。在移动电话等便携式产品中，已普遍采用圆片级封装型的EPROM、IPD(集成无源器件)、模拟芯片等器件。圆片级封装技术已广泛用于闪速存储器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD 驱动器、射频器件、逻辑器件、电源/ 电池管理器件和模拟器件(稳压器、温度传感器、控制器、运算放大器、功率放大器) 等领域。;;圆片级封装4M 工艺流程图;;重布线层（RDL）的目的是对芯片的铝焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。 常见的RDL 材料是电镀铜（plated Cu）辅以打底的钛、铜溅射层（Sputtered Ti/Cu）。 ;; 凸点制作技术 凸点制作是圆片级封装工艺过程的关键工序,它是在晶圆片的压焊区铝电极上形成凸点。圆片级封装凸点制作工艺常用的方法有多种, 每种方法都各有其优缺点, 适用于不同的工艺要求。要使圆片级封装技术得到更广泛的应用, 选择合适的凸点制作工艺极为重要。在晶圆凸点制作中，金属沉积占到全部成本的50%以上。晶圆凸点制作中最为常见的金属沉积步骤是凸点下金属化层（ UBM）的沉积和凸点本身的沉积，一般通过电镀工艺实现。;所示为典型的晶圆凸点制作的工艺流程。 首先在晶圆上完成UBM 层的制作。然后沉积厚胶并曝光，为电镀焊料形成模板。电镀之后，将光刻胶去除并刻蚀掉暴露出来的UBM 层。最后一部工艺是再流，形成焊料球。; 电镀技术可以实现很窄的凸点节距并维持高产率。并且该项技术应用范围也很广，可以制作不同尺寸、节距和几何形状的凸点，电镀技术已经越来越广泛地在晶圆凸点制作中被采用，成为最具实用价值的方案。;标准WLP（fan-in WLP）是在晶圆未进行切片前，对芯片进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片的尺寸相同。 近几年开发出的扩散式WLP（fan-out WLP）则是基于晶圆重构技术，将芯片重新布置到一块人工晶圆上，然后按照与标准WLP 工艺类似的步骤进行封装，得到的封装面积要大于芯片面积。;;第二种结构如图(b)所示，焊球置于在RDL 层上，并通过2 层聚合物介质层与Si 芯片相连，此种结构中没有焊点下金属层。两层聚合物层作为钝化和再布线层。这种结构不同于第一种结构，尽管两种结构均有再布线层。如图b所示，高分子介电薄膜层置于焊球和硅衬底。这种高分子层能够作为缓冲层来降低由于温度变化所引起的PCB 和硅的热失配产生的热-机械应力。这种WLP 结构能拓展到间距为0.5 mm 的12×12焊球阵列。;第三种WLP 结构如图(c)所示，是在图（b)结构的基础上，添加了UBM 层。由于添加了这种UBM 层，相应增加了制造成本。这种UBM 能稍微提高热力学性能。 图（d）所示的第四种WLP 结构，采用了铜柱结构，首先电镀铜柱，接着用环氧树脂密封。;扩散式WLP（fan-out WLP） ;扩散式WLP 采用晶圆重构技术，其工艺过程如图所示：首先在一块层压载板上布贴片胶带，载板通常选用人工晶圆，载板上的胶带则起到固定芯片位置和保护芯片有源面的作用；然后将测试良好的芯片（KGD）面向下重新粘贴到一块载板上，芯片之间的距离决定了封装时扩散面积的大小，可以根据需要自由控制；接着用模塑料对芯片以及芯片之间的空隙进行覆盖填充，再将载板和胶带从系统中分离，载板可以重复利用；最后就可以进行RDL和焊球工艺步骤。;扩散式WLP 的典型应用是嵌入式晶圆级球栅阵列(embedded wafer level ball grid array，eWLB)。;扇出WLP封装的优点;WLP 在3D 叠层封装中的应用;TSV一般采用Cu 填充。由于Cu 和Si 的热膨胀系数不同，TSV 在热循环过程中存在着热机械可靠性问题。 高密度的TSV，要进行通孔的完全填充；中等密度的TSV，为提高可靠性、节省工艺时间和降低成本，不采用铜的完全填充，而是用电化学沉积电镀薄层铜衬里以保证电学连接，剩余的部分则采用聚合物填充。;目前WLP 的发展有 2 个主要的趋势。一个是通过减少WLP 的层数以降低工艺成本，缩短工艺时间，主要是针对I/O 少、芯片尺寸小的产品。其结构是从上述的4M 结构派生出来，主要分为3M 和2M的结构。 另一个发展方向是通过一些新材料的应用来提高WLP 性能和可靠度。主要是针对I/O 多、芯片尺寸大的产品。比如上文所提到的，锡银铜合金的焊料球虽然满足了对无铅化环保的要求，但是其回流焊的温度会比锡铅焊料球高，产品的热应力也相对较大。采用新材料，锡银铜铋合金的焊料球，因其具备较低的熔点和较好的润湿能力，故而将改善