a-SiH_TFT的能带和工作内部结构.pdf

a-Si:H TFT 的结构和工作原理 1. a-Si:H TFT的工作原理 3.TFT-LCD 的基本结构 1 1. a-Si:H TFT 的工作原理 a-Si:H 的性质 a-Si:H TFT的有源层材料是a-Si:H，它是一种典型的非晶态半导体材料，从 而决定了TFT的某些性质不同于MOSFET 。 (a) (b) 晶态和非晶态硅中缺陷示意图 (a)为晶体；(b)非晶体 2 1. a-Si:H TFT 的工作原理 a-Si:H TFT的工作原理 有源层是a-Si:H，属弱n型非晶半导体材料 。 当栅极加正电压，表面形成电子的累积，源漏加电压后，形 成导电沟道。 类似于MOS 的电容。 金属 绝缘层 半导体 欧姆接触 MIS结构 简化的底栅型a-Si TFT的结构 3 1. a-Si:H TFT 的工作原理 a-Si:H TFT的能带图  随栅极电压VGS而变化，基本上可分为积累、耗尽、反型 三种情况 表面出现电子的积累而带负电 E E c c qvB Ef Ef Ei Ei qVGS qvs E E v v (a) (b) （a ）平带状态VGS=0 ；（b ）