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光电子低维结构材料和器件的发展 目录 光电子材料和器件及其发展简史 光电子低维结构 低维结构基础 光电子材料制备技术 （MBE，MOCVD） 光电子低维结构器件 光电子器件（激光器，探测器等） 电学器件（MOSFET，量子点存储器件等） 光学器件（光子晶体） 低维材料结构 半导体材料的分类 半导体物理几个概念 二维电子气结构（2DEG） 量子阱,量子线和量子点材料 超晶格的分类 组份超晶格,掺杂超晶格,应变超晶 格,I.II.III型超晶格等 低维材料的发光性质 半导体带隙能量与晶格常数 II－IV族宽禁带半导体 ZnMgSeTe 5.668-6.37A 2.1-3.6eV ZnO的发展 SiC的发展 GaN材料系统 中村修二从1979年在日亚（Nichia） 1.9eV-6.2eV,AlN, AlGaN/GaN HFETs SiGeC材料 半导体能带结构 半导体材料的掺杂 材料界面 第一布里源区的能带折叠 超晶格的分类 组份超晶格 掺杂超晶格 应变超晶格 I,II,III超晶格 掺杂超晶格 应变超晶格 1986年应变量子阱，开拓了量子阱材料选择的自由度，展现优异的新功能。 二维电子气结构2DEG 1980年Klizing发现量子霍尔效应1985年获奖Si 反型层@GaA