第5章MOS反相器-MOS晶体管解释.pptVIP

西安理工大学 微电子学硕士课程 MOS晶体管 速度饱和效应 Short Channel I-V Plot (NMOS) 速度饱和效应 速度饱和 MOS ID-VGS Characteristics 决定电流的主要因素 当 VDS 和VGS ( VT) 固定时,IDS 是 以下参数的函数 沟道长： L 沟道宽 – W 阈值电压 – VT SiO2厚度 – tox 栅极氧化膜的介电常数 (SiO2) – ?ox 载流子迁移率 N型材料: ?n = 500 cm2/V-sec P型材料: ?p = 180 cm2/V-sec Subthreshold Conductance（亚阈值特性） 导通电阻是一个非线性电阻，与器件的工作状态有关,平均电阻一般取0.75R0 在非饱和区，导通电阻近似为线性电阻 即Ron=1/gm 导通电阻反比于（W/L)，W每增加一倍，电阻减小一半 MOS管的电流解析方程（L〉1mm) 工艺参数 ID (0VDSVGS-VTH) (0 VGS-VTH VDS) 沟道长度调制系数 VTH 阈值电压 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) VG VD ID nMOS晶体管的I-V特性 VTH ID VG 增强型（E) VTH ID VG 耗尽型(