集成电路设计实验汇报.docVIP

集成电路设计实验报告 院别： 电信学院 专业：电子科学与技术 班级：\ 姓名： 学号：\ 组序：52 实验 （ 一 ） 题目名称：熟悉L-EDIT软件工具 成绩： 教师签名： 批改时间： 实验目的： 学会使用L-EDIT软件，练并应用工艺文件。通过该实验，使学生掌握L-EDIT的设计方法，加深对课程知识的感性认识，增强学生的设计与综合分析能力，为将来成为优秀的后端工程师做准备。熟悉L-EDIT版图软件工具菜单功能及使用方法。以MOS器件为例，调用相应的工艺文件画版图（如选用几微米的工艺线、设计法则）对所画的版图进行DRC验证，并修改不正确的部分。 安装L-EDIT仿真软件：先点击Daemon.exe文件，用虚拟光驱将.ISO文件载入，并点击L-EDIT的Setup.exe文件即可。 按照Crack方式注册该软件，并运行。 以MOSIS提供的morbn20.tdb工艺库为例，从ReadMe中可以了解许多信息：工艺提供制造商、工艺尺寸、设计规则及器件剖面图等。 以morbn20.tdb工艺库为例，画NMOS版图。File→New→Copy TDB setup from。 点击Browse选择根目录Tanner→LEDIT83。 点击LEDIT83→Samples。 点击Samples→tech。 点击tech→mosis。 在mosis文件夹下，选择工艺库文件morbn20.tdb。 版图的详细设计规则：Setup→Design，也可在file→open→morbn20.tdb。包含有工艺线大小、设计规则、工艺流程等掩模板，其中宽度W = μm 高度H = μm。画 select掩模板，其中宽度W = 18μm 高度H = 15μm。 画Active有源区掩模板，其中宽度W = 14μm 高度H = 6μm。μm。 14. 画 select掩模板，其中宽度W = 9μm 高度H = 15μm。 画Active有源区掩模板，其中宽度W = 5μm 高度H = 6μm。 画Poly多晶硅，其中宽度W = 2μm；高度H = 10μm及宽度W = 6μm；高度H = 6μm两图形。 画Active contact有源区接触孔宽度W = 2μm；高度H = 2μm。 画Metal1，宽度W = 4μm；高度H = 4μm。 进行设计规则检查，Tools→DRC即可。 检查没有错误，表示所画版图正确。